最新章節

• 封底
• 后折頁
• 參考文獻
• 9.4.4 激光打印設備
• 9.4.3 切筋成型機
• 9.4.2 電鍍及浸焊生產線

• 封底 更新時間：2022-05-10 17:00:30
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• 9.4.4 激光打印設備
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• 9.4.2 電鍍及浸焊生產線
• 9.4.1 塑封機
• 9.4 板卡級封裝
• 9.3.2 引線鍵合機
• 9.3.1 粘片機
• 9.3 元器件級封裝
• 9.2.3 激光劃片機
• 9.2.2 砂輪劃片機
• 9.2.1 圓片減薄機
• 9.2 芯片級封裝
• 9.1 簡介
• 第9章 封裝工藝及設備
• 參考文獻
• 8.3.12 液相外延系統
• 8.3.11 氣相外延系統
• 8.3.10 分子束外延系統
• 8.3.9 原子層沉積設備
• 8.3.8 等離子體增強化學氣相沉積設備
• 8.3.7 低壓化學氣相沉積設備
• 8.3.6 常壓化學氣相沉積設備
• 8.3.5 離子化物理氣相沉積設備
• 8.3.4 磁控濺射設備
• 8.3.3 射頻物理氣相沉積設備
• 8.3.2 直流物理氣相沉積設備
• 8.3.1 真空蒸鍍設備
• 8.3 薄膜生長設備
• 8.2.4 外延工藝
• 8.2.3 原子層沉積工藝
• 8.2.2 化學氣相沉積工藝
• 8.2.1 物理氣相沉積及濺射工藝
• 8.2 薄膜生長工藝
• 8.1 簡介
• 第8章 薄膜生長工藝及設備
• 參考文獻
• 7.4 損傷修復
• 7.3.2 設備技術指標
• 7.3.1 基本結構
• 7.3 離子注入設備
• 7.2.2 離子注入主要參數
• 7.2.1 基本原理
• 7.2 離子注入工藝
• 7.1 簡介
• 第7章 離子注入工藝及設備
• 參考文獻
• 6.4.6 電感耦合等離子體刻蝕設備
• 6.4.5 電容耦合等離子體刻蝕設備
• 6.4.4 磁場增強反應離子刻蝕設備
• 6.4.3 反應離子刻蝕設備
• 6.4.2 等離子體刻蝕設備
• 6.4.1 等離子體刻蝕設備的分類
• 6.4 干法刻蝕設備
• 6.3.5 單晶圓片刻蝕設備
• 6.3.4 單晶圓片清洗設備
• 6.3.3 單晶圓片濕法設備
• 6.3.2 槽式晶圓片刻蝕機
• 6.3.1 槽式晶圓片清洗機
• 6.3 濕法刻蝕與清洗設備
• 6.2.2 干法刻蝕和清洗
• 6.2.1 濕法刻蝕和清洗
• 6.2 刻蝕工藝
• 6.1 簡介
• 第6章 刻蝕工藝及設備
• 參考文獻
• 5.4.10 濕法去膠系統
• 5.4.9 晶圓片勻膠顯影設備
• 5.4.8 納米電子束直寫系統
• 5.4.7 電子束光刻系統
• 5.4.6 極紫外光刻機
• 5.4.5 浸沒式光刻機
• 5.4.4 步進掃描光刻機
• 5.4.3 步進重復光刻機
• 5.4.2 接觸/接近式光刻機
• 5.4.1 光刻技術的發展歷程
• 5.4 光刻設備
• 5.3.7 光刻膠配套試劑
• 5.3.6 光刻膠
• 5.3.5 極紫外光掩模
• 5.3.4 移相光掩模
• 5.3.3 勻膠鉻版光掩模
• 5.3.2 光掩模基板材料
• 5.3.1 光掩模的發展
• 5.3 光掩模與光刻膠材料
• 5.2 光刻工藝
• 5.1 簡介
• 第5章 光刻工藝與設備
• 參考文獻
• 4.3.3 快速退火處理設備
• 4.3.2 高壓氧化爐
• 4.3.1 擴散設備
• 4.3 加熱工藝的硬件設備
• 4.2.3 退火工藝
• 4.2.2 擴散工藝
• 4.2.1 氧化工藝
• 4.2 加熱單項工藝
• 4.1 簡介
• 第4章 加熱工藝與設備
• 參考文獻
• 3.4.8 清洗與包裝
• 3.4.7 拋光
• 3.4.6 研磨
• 3.4.5 倒角
• 3.4.4 硅片退火
• 3.4.3 切片
• 3.4.2 切斷
• 3.4.1 滾磨
• 3.4 晶圓加工與設備
• 3.3.2 區熔法與區熔單晶爐
• 3.3.1 直拉法與直拉單晶爐
• 3.3 晶圓制備
• 3.2.2 晶體結構與晶向
• 3.2.1 為什么使用硅材料
• 3.2 硅材料
• 3.1 簡介
• 第3章 晶圓制備與加工
• 參考文獻
• 2.4 集成電路生產線的發展趨勢
• 2.3.5 排氣系統
• 2.3.4 真空系統
• 2.3.3 循環冷卻水系統
• 2.3.2 空調系統
• 2.3.1 潔凈室系統
• 2.3 集成電路生產線的潔凈系統
• 2.2.3 集成電路生產線的工藝設計
• 2.2.2 國內集成電路生產線發展情況
• 2.2.1 國外集成電路生產線發展情況
• 2.2 集成電路生產線發展的歷程與設計
• 2.1.3 工藝技術路線
• 2.1.2 工藝劃分
• 2.1.1 芯片制造
• 2.1 集成電路制造技術
• 第2章 集成電路制造工藝及
• 參考文獻
• 1.2.3 集成電路產業結構變遷
• 1.2.2 晶圓代工
• 1.2.1 集成電路產業鏈
• 1.2 集成電路產業的發展
• 1.1.4 摩爾定律的終結或超摩爾時代
• 1.1.3 集成電路的產業發展規律與節點
• 1.1.2 摩爾定律
• 1.1.1 世界上第一個集成電路
• 1.1 集成電路的發展歷史
• 第1章 導論
• 前言
• 前折頁
• 內容簡介
• 版權信息
• 封面

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• 版權信息
• 內容簡介
• 前折頁
• 前言
• 第1章 導論
• 1.1 集成電路的發展歷史
• 1.1.1 世界上第一個集成電路
• 1.1.2 摩爾定律
• 1.1.3 集成電路的產業發展規律與節點
• 1.1.4 摩爾定律的終結或超摩爾時代
• 1.2 集成電路產業的發展
• 1.2.1 集成電路產業鏈
• 1.2.2 晶圓代工
• 1.2.3 集成電路產業結構變遷
• 參考文獻
• 第2章 集成電路制造工藝及
• 2.1 集成電路制造技術
• 2.1.1 芯片制造
• 2.1.2 工藝劃分
• 2.1.3 工藝技術路線
• 2.2 集成電路生產線發展的歷程與設計
• 2.2.1 國外集成電路生產線發展情況
• 2.2.2 國內集成電路生產線發展情況
• 2.2.3 集成電路生產線的工藝設計
• 2.3 集成電路生產線的潔凈系統
• 2.3.1 潔凈室系統
• 2.3.2 空調系統
• 2.3.3 循環冷卻水系統
• 2.3.4 真空系統
• 2.3.5 排氣系統
• 2.4 集成電路生產線的發展趨勢
• 參考文獻
• 第3章 晶圓制備與加工
• 3.1 簡介
• 3.2 硅材料
• 3.2.1 為什么使用硅材料
• 3.2.2 晶體結構與晶向
• 3.3 晶圓制備
• 3.3.1 直拉法與直拉單晶爐
• 3.3.2 區熔法與區熔單晶爐
• 3.4 晶圓加工與設備
• 3.4.1 滾磨
• 3.4.2 切斷
• 3.4.3 切片
• 3.4.4 硅片退火
• 3.4.5 倒角
• 3.4.6 研磨
• 3.4.7 拋光
• 3.4.8 清洗與包裝
• 參考文獻
• 第4章 加熱工藝與設備
• 4.1 簡介
• 4.2 加熱單項工藝
• 4.2.1 氧化工藝
• 4.2.2 擴散工藝
• 4.2.3 退火工藝
• 4.3 加熱工藝的硬件設備
• 4.3.1 擴散設備
• 4.3.2 高壓氧化爐
• 4.3.3 快速退火處理設備
• 參考文獻
• 第5章 光刻工藝與設備
• 5.1 簡介
• 5.2 光刻工藝
• 5.3 光掩模與光刻膠材料
• 5.3.1 光掩模的發展
• 5.3.2 光掩模基板材料
• 5.3.3 勻膠鉻版光掩模
• 5.3.4 移相光掩模
• 5.3.5 極紫外光掩模
• 5.3.6 光刻膠
• 5.3.7 光刻膠配套試劑
• 5.4 光刻設備
• 5.4.1 光刻技術的發展歷程
• 5.4.2 接觸/接近式光刻機
• 5.4.3 步進重復光刻機
• 5.4.4 步進掃描光刻機
• 5.4.5 浸沒式光刻機
• 5.4.6 極紫外光刻機
• 5.4.7 電子束光刻系統
• 5.4.8 納米電子束直寫系統
• 5.4.9 晶圓片勻膠顯影設備
• 5.4.10 濕法去膠系統
• 參考文獻
• 第6章 刻蝕工藝及設備
• 6.1 簡介
• 6.2 刻蝕工藝
• 6.2.1 濕法刻蝕和清洗
• 6.2.2 干法刻蝕和清洗
• 6.3 濕法刻蝕與清洗設備
• 6.3.1 槽式晶圓片清洗機
• 6.3.2 槽式晶圓片刻蝕機
• 6.3.3 單晶圓片濕法設備
• 6.3.4 單晶圓片清洗設備
• 6.3.5 單晶圓片刻蝕設備
• 6.4 干法刻蝕設備
• 6.4.1 等離子體刻蝕設備的分類
• 6.4.2 等離子體刻蝕設備
• 6.4.3 反應離子刻蝕設備
• 6.4.4 磁場增強反應離子刻蝕設備
• 6.4.5 電容耦合等離子體刻蝕設備
• 6.4.6 電感耦合等離子體刻蝕設備
• 參考文獻
• 第7章 離子注入工藝及設備
• 7.1 簡介
• 7.2 離子注入工藝
• 7.2.1 基本原理
• 7.2.2 離子注入主要參數
• 7.3 離子注入設備
• 7.3.1 基本結構
• 7.3.2 設備技術指標
• 7.4 損傷修復
• 參考文獻
• 第8章 薄膜生長工藝及設備
• 8.1 簡介
• 8.2 薄膜生長工藝
• 8.2.1 物理氣相沉積及濺射工藝
• 8.2.2 化學氣相沉積工藝
• 8.2.3 原子層沉積工藝
• 8.2.4 外延工藝
• 8.3 薄膜生長設備
• 8.3.1 真空蒸鍍設備
• 8.3.2 直流物理氣相沉積設備
• 8.3.3 射頻物理氣相沉積設備
• 8.3.4 磁控濺射設備
• 8.3.5 離子化物理氣相沉積設備
• 8.3.6 常壓化學氣相沉積設備
• 8.3.7 低壓化學氣相沉積設備
• 8.3.8 等離子體增強化學氣相沉積設備
• 8.3.9 原子層沉積設備
• 8.3.10 分子束外延系統
• 8.3.11 氣相外延系統
• 8.3.12 液相外延系統
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• 第9章 封裝工藝及設備
• 9.1 簡介
• 9.2 芯片級封裝
• 9.2.1 圓片減薄機
• 9.2.2 砂輪劃片機
• 9.2.3 激光劃片機
• 9.3 元器件級封裝
• 9.3.1 粘片機
• 9.3.2 引線鍵合機
• 9.4 板卡級封裝
• 9.4.1 塑封機
• 9.4.2 電鍍及浸焊生產線
• 9.4.3 切筋成型機
• 9.4.4 激光打印設備
• 參考文獻
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• 封底 更新時間：2022-05-10 17:00:30