抑制設備投資使整個產業陷入困境

設備投資也有相當一部分沿襲了泡沫時期的慣性做法，或者說是沒有能夠阻止原投資計劃的實施。整個日本法人企業在泡沫經濟破滅后的設備投資，在一段時間里還在繼續增加。

設備投資額從1990年的57萬億日元增加到1991年的64萬億日元，1992年也維持在較高水準（57萬億日元），1993年才終于減少到46萬億日元。由于這種惰性設備投資的過失，致使日本企業每年增加6萬億日元的設備投資折舊費。1993年成為2017年以前設備投資額最高的一年，此后在將近二十五年的時間里一直在抑制設備投資。如果從企業成長動力的角度來看，這樣的做法可以說是受“一朝被蛇咬，十年怕井繩”的心理陰影影響，繼而又導致了投資不足現象的發生。這一時期的過度投資行為對于日本企業來說是一次慘痛的教訓，關于投資不足的問題將會在第七章再做分析。

泡沫經濟破滅后，在大多數日本企業還在延續慣性的設備投資時，有的產業已敏感地嗅出了世事的變化，開始嚴格抑制設備投資，但這又恰恰成為使整個產業陷入困境的原因。20世紀80年代曾被高度評價，擁有極強國際競爭力的日本半導體產業就是最好的例證。

日本的半導體產業在1990年占全球市場的49%。日本電器在全球市場占有率居于第一，第二名是東芝，第四名是日立，世界前五名當中就有三家日本企業，特別是在存儲器領域，日本企業的實力更是絕對的世界第一。日后撼動日本半導體產業世界優勢地位的是依靠積極于設備投資的韓國三星電子（簡稱“三星”）。1992年，進入半導體產業僅九年的三星在動態存取存儲器等電腦大量使用的存儲器領域，成為市場占有率第一的公司。在此之前，動態存取存儲器市場占有率首位的是東芝。到1998年，韓國整體的市場占有率超越日本，成為世界第一。

1990年前后，與日本半導體企業采取的消極設備投資戰略不同，三星采取了積極的設備投資政策，這就是兩國在半導體領域發生形勢逆轉的誘因。日本企業對設備投資的消極態度有兩大原因。

一個原因是1986年日美間簽訂的《日美半導體協議》。《日美半導體協議》是美國為了抑制如日中天的日本半導體產業而提出的政策性要求，這導致泡沫經濟時期的存儲器市場實質上受到帶有官方性質的企業聯盟的操控。日本企業被迫調整生產計劃，同時也獲得了巨大的利益。因此，日本的半導體企業基本不愿冒著打破業界協調關系的風險而進行積極的設備投資。

另一個重要原因是泡沫經濟破滅后，金融信貸收緊。日本的半導體企業大多是在電子工程學領域多元化經營的綜合電子制造企業，對他們來說，泡沫經濟破滅意味著其他經營領域面臨著嚴苛的發展環境，其他行業面向半導體的投資明顯減少。而泡沫經濟破滅后的借貸困難更使得企業在資金籌措方面變得艱難，也讓企業在向半導體領域投資時變得猶豫不決。

持續穩定的設備投資才是半導體產業的企業生命線。因此，自1992年以來一直采取積極投資戰略的三星躍升為動態存取存儲器（DRAM）世界第一。緊接著，三星又乘勢向原本只有日本企業才有競爭力的高端動態存取存儲器（16G）產品發起了攻擊，并在20世紀90年代后期超越日本。對《日美半導體協議》的依賴以及設備投資資金的緊缺，成為日韓在半導體領域形勢發生逆轉的主要原因，這是誰也沒有想到的。

1991年，第二次世界大戰后的日本企業界的代表人物之一，本田技研工業的創始人本田宗一郎逝世。向來以積極投資著稱的他，看到日本企業在這段時期經營態勢的巨變不知會做何感想。昭和時代已漸行漸遠。