譯者簡介

楊銀堂

1962年生，男，河北邯鄲市人，博士，教授，博士生導師，畢業于西安電子科技大學半導體專業。曾先后擔任該校微電子研究所所長、技術物理學院副院長、微電子學院院長、發展規劃處處長兼“211工程”辦公室主任，校長助理，兼任總裝備部軍用電子元器件專家組副組長，曾獲國家自然科學基金杰出青年基金、教育部跨世紀優秀人才，全國模范教師和中國青年科技獎，入選國家“百千萬人才工程”。現任西安電子科技大學副校長。先后在國際國內重要期刊上發表論文180余篇，出版專著4部。

段寶興

1977年生，男，陜西省大荔縣人，博士，教授。分別于2000年和2004年獲哈爾濱理工大學材料物理與化學專業學士和碩士學位，2007年獲電子科技大學微電子學與固體電子學博士學位。主要從事硅基功率器件與集成、寬帶隙半導體功率器件和45nm后CMOS關鍵技術研究。首次在國際上提出的優化功率器件新技術REBULF已成功應用于橫向高壓功率器件設計；與合作者提出的SOI高壓器件介質場增強ENDILF技術，成功解決了高壓器件縱向耐壓受限問題；最近首次在國際上提出了完全3D RESURF概念并已被國際同行認可。先后在國際國內重要期刊上發表論文40余篇，其中30余篇次被SCI、EI檢索。擔任國際重要學術期刊IEEE Electron Device Letters，Solid-State Electronics，Micro & Nano Letters，IEEE Transactions on Power Electronics和IETE Technical Review等的審稿人。