1.2.2 場的方法
場的方法就是從麥克斯韋方程入手,對LIM氣隙磁場方程進行分析求解。它是分析LIM數學模型的有力手段,主要包括解析法、有限元法和邊界元法,具體介紹如下。
1.2.2.1 解析法
解析法主要有兩種:集中參數的電流理論分析法和分布參數的電磁場理論分析法。解析法先基于一維或二維場分析,選取電機的一對極為求解區域,把初級繞組等效成正弦電流層,暫時不考慮鐵心入端、出端、補償繞組、端部半填充槽和三相繞組不平衡等因素,直接沿用旋轉電機分析方法,計算出理想化的電機模型[16]。進一步考慮橫向邊緣效應、縱向邊端效應、初級半填充槽、磁路飽和、初級相間不平衡、次級導板的趨膚效應等影響,用相應系數對電機參數進行校正。解析法主要采用磁路法、等效電路法、磁荷法、直接求解拉氏法、空間諧波法、次級板分層法、耦合電路模型(包括極對極法、繞組函數法等)[17]。下面對其主要模型及思路進行介紹。
1.并聯或串聯電路法
Sakae Yamamura[18]從三維麥克斯韋方程出發,經過簡化推導出LIM一維氣隙磁場方程的解,并將氣隙磁場分為三部分:第一部分是基本的正向行波,對應于RIM氣隙磁場;第二部分是入端磁通密度波,沿正方向(+x軸)運行,并逐漸衰減;第三部分是出端磁通密度波,沿負方向(-x軸)運行并迅速衰減。經過嚴密的數學推導,作者得到了三種磁通密度行波對應的等效阻抗,并等效出串聯或并聯電路。串聯等效電路如圖1-3所示,其中Zs為初級阻抗,Zf為氣隙基波阻抗,K1Zf為入端波阻抗,K2Zf為出端波阻抗,它們對電機推力產生不同影響:氣隙基波產生理想的推力,入端和出端行波大多數情況下產生負的推力(特定區域可能為正),最終使LIM的有效推力下降。整體而言,該模型能清楚描述出邊端效應對LIM特性的影響,并可得到兩點結論:①LIM氣隙中的出端磁通密度行波衰減很快,對電機推力影響很小,一般可以不考慮;②因縱向邊端效應隨電機速度的增加而迅速增大,LIM有效推力將迅速衰減,不宜應用于150km/h以上的高速交通中。

圖1-3 LIM串聯等效電路
Poloujadoff[19]從LIM一維方程入手,提出了三種修正方法,推導出氣隙行波的二階、三階和四階方程。其中三階方程包含了次級導板中x方向電流的近似效應,四階方程中考慮了初級鐵心的飽和效應。
Wilkinson[20]根據LIM邊端效應建立了氣隙磁通密度方程。根據初級鐵心端部磁通密度的急劇變化,作者研究了LIM電磁推力的瞬態變化過程。
J.F.Gieras[21-22]系統總結了前人的研究成果,得到如圖1-4所示的LIM并聯等效電路:Zm為勵磁支路阻抗,Zr為次級支路等效阻抗,Zend為邊端效應阻抗。作者認為,其中ke為邊緣效應系數。比較圖1-4和圖1-3,兩個LIM等效模型在本質是相同的,可以根據不同需要進行轉化。

圖1-4 LIM并聯等效電路
2.次級結構分層法
由于氣隙較大,LIM氣隙磁場強度H沿氣隙長度方向的分布不再均勻,同時次級表面的導體(銅或鋁)對H將產生進一步影響。因此,為準確計算次級電阻,必須采用次級結構分層法,深入研究次級導板中的電流分布情況。該方法是一種二維磁場分布求解法,由Gullen和Barton提出,后經Grieg和Freeman,J.F.Eastham和Roger等學者進一步發展完善。它假設場量在z方向上是不變的,次級電流只有z方向分量。實際導板中,電流卻具有x方向分量,使得次級電阻率增加,常采用Russel-Norsworthy系數來校正。分層法難以考慮初級鐵心的有限寬度和長度,大多應用于幾臺LIM串聯的情況,如圖1-5所示。此時,若LIM初級足夠長,則初級電流密度的分布可用正弦行波傅里葉級數來表示。在各個分層的交界面處,磁通密度By是連續的,若交界面處無電流存在,Hx也是連續的。

圖1-5 多臺LIM初級串聯
J.F.Gieras[22]將LIM整體結構按不同材料分層,如圖1-6所示。具體分層結構從次級導電板開始到初級線圈電流層為止,分別為1,2,…,k層,各層內部的磁導率μi和電導率δi均相同,且具有線性電磁分布及各向同性。若各層的電流密度已知,就可以計算出相關的磁場分量,然后根據麥克斯韋應力法和拉普拉斯方程等,計算出每層阻抗。LIM次級的每層阻抗通過級聯方式,最后可等效為串聯電路的形式。該方法還可考慮空間諧波的影響,如圖1-7所示,v代表空間諧波次數。

圖1-6 LIM次級分層結構

圖1-7 LIM次級分層等效阻抗
分層理論多數未考慮初級鐵心的飽和。Dawson和Eastham[23]首次提出了同時考慮初級和次級鐵心飽和的分層法:在某些大推力工作區域,因初級電流密度較大,大功率LIM初級鐵心存在一定飽和現象,其鐵磁材料的磁導率不再為無窮大。大量研究結果表明:考慮初次級鐵心飽和后,電機的推力和垂直力更接近實際測量值。
3.耦合電路模型
因為物理結構非對稱,所以LIM等效模型建立方法不能完全照搬RIM分析思路。傳統RIM中,只需要分析一個極下的場量和參數變化,然后根據對稱結構擴展到整個電機范圍。而LIM的入端和出端磁路突然變化,場量迅速改變,對稱拓展法不再有效,需要進行更為細致的研究[24-25]。
D.G.Elliott[26]把LIM次級分為大量相似的網格,建立相應的矩陣方程,并根據邊界條件求解出每個點的狀態。該方法可考慮互感變化,對LIM穩態和暫態特性進行分析。但是,為獲得合理結果,需求解大量差分方程,如4極電機至少要解150個差分方程,計算量較大。
B.T.Ooi[27]和G.G.North[28]嘗試建立LIM穩態和暫態特性分析的統一方程。他們從麥克斯韋靜態場推導出電機參數的解析表達式,并用傅里葉級數方法對參數進行三維場分析。該方法同樣需求解大量差分方程,邊界條件的給定較繁瑣。
T.A.Lipo和T.A.Nondahl[29]提出極對極方法,較大地推動了LIM穩態和暫態特性分析。該方法認為,LIM次級電路的每個極是獨立的,對應極下的繞組呈正弦分布;通過求解每個極的場量,最終能求解出電機氣隙磁鏈和次級實際電流。另外,在電機兩端人為增加極數,對LIM邊緣效應進行校正,如圖1-8所示。極對極方法首次從理論上對LIM動態和暫態特性進行了較好的描述,但其難點在于如何合理確定兩端增加極的數量。然而,極的數目增加會加大方程求解難度,同時影響電機特性分析的準確度。另外,LIM次級等效電流大小與電機運行速度密切相關,必須設法建立它們之間的關系。

圖1-8 LIM的極對極模型
Changan Lu和G.E.Dawson[30-31]在極對極方法的基礎上引入了繞組函數分析方法。他們從LIM氣隙磁鏈方程入手,在忽略磁路飽和、半填充槽、繞組不對稱等情況下,推導出電機繞組函數表達式,進一步求解出電機互感、次級電阻等重要參數,建立電機等效模型。該模型可對LIM穩態和暫態特性進行較為合理的分析。
整體而言,解析法物理概念明確,容易被人理解。但在實際中,解析法很難充分考慮磁路復雜性、非線性等因素。在建立LIM相應數學方程式時,解析法通常要用對應等效參數去近似或折中。當電機極數較多時,該方法的計算結果較準確;但隨著極數減少,其計算誤差逐漸增大。
1.2.2.2 有限元法
電磁場有限元法(Finite Element Method,FEM)能綜合考慮各方面因素,近年來逐漸成為LIM參數計算和特性分析的有力工具。FEM對場量邊值問題的微分形式進行離散化處理,適合于封閉邊界面區域中的電磁場計算,可以分析LIM電磁推力、次級板電流、氣隙磁通密度等。該方法求解步驟包括前處理、求解和后處理三步,主要分為二維法和三維法兩種。
FEM首先將電機的求解區域進行單元剖分,二維模型中剖分成一系列連續的三角形或四邊形單元,三維模型中剖分成一系列連續的六面體單元。單元節點上的矢量磁位A按照預先假設的變化方式(如線性變化或二次變化等)進行計算,然后從麥克斯韋基本方程出發,導出一組以磁場矢量磁位A為變量的偏微分方程。磁導率的大小跟隨A改變,從而考慮電機的磁路飽和效應。FEM的邊界條件由一系列初級繞組電流、磁通密度和次級感應電流組成,其中次級感應電流在求解區域中經過一定距離后會逐漸衰減為零。方程求解的精度與剖分單元的數量有關。FEM求解推力的方法包括麥克斯韋應力張量法和虛位移法兩種[32]。虛位移法的計算結果與網格剖分關系不大,而麥克斯韋應力張量法的計算精度和網格剖分精度緊密相關,即只有當網格剖分適當,計算準確性才有保證。實際中常常采用虛位移法。
1.二維有限元模型
Rodger[33]考慮LIM齒槽和次級板厚度的影響,用三角形和四邊形結合的方法,建立LIM二維分析模型。文章考慮趨膚效應作用,用等效電流層代替定子齒槽影響,結果表明:LIM在不同速度和頻率下的磁場分布和推力變化與實際情況吻合。Eastham[34]采用二維有限元模型對Queen大學的LIM進行分析,并和試驗測量結果進行對比,結果表明:兩者在高轉差區域比較接近;隨著轉差減小(初級速度增加),誤差逐漸增加。Chang Kim[35]采用二維模型對LIM運行過程進行動態分析。文章引入運動剖分法,當電機位移較小時,只將運動邊的剖分單元變形,當位移較大時重新剖分運動邊單元,盡量保持總單元和節點數不變。LIM推力和法向力采用變步長有限元法求取,其結果驗證了穩態工況下的性能指標。
2.三維有限元模型
Rodger和Eastham[36]采用標量和矢量磁位相結合的方法,把區域劃分為渦流區、源電流區、無電流區,然后對每個區域采用不同的網格劃分方法。通過求解迭代8000個方程,得到比二維模型更精確的磁通密度分布和推力值。
Cottingham[37]比較了空間暫態分析和三維建模分析兩種方法。文章從三維電磁場方程入手,分析了電機出端網格幾何形狀對電機性能的影響:次級渦流幅值與運行速度有關,只有當速度較高時,入端磁通密度才趨近于零。Cottingham把氣隙磁通分為兩個分量:一個分量是定子電流與轉子電流共同作用的結果;另一個分量幅值與第一個相反,大小與暫態轉子電流有關,將隨著次級的進入而消失。該方法計算的推力等特性變量和實際吻合較好。
Tadashi Yamaguchi[38]用三維有限元法對LIM渦流、端部磁通密度和推力等進行了詳細研究,并和解析法結果進行了比較,結果表明三維分析更接近試驗值。
綜上所述,FEM的優點是先知道每個剖分網格點的場量,進一步求取電機的參數和特性變量,不必像解析法那樣需進行近似和簡化,結果相對準確。FEM和電機建模分析、優化設計相結合,是電機分析設計的發展趨勢。相對二維FEM,三維FEM必須考慮三個軸向矢量磁位的變化,需要更大數據存儲空間和更多計算時間,且邊界條件給定更復雜。
1.2.2.3 邊界元法
FEM是求解整個區域內不同分布節點的場量值,而邊界元法(Boundary Element Method,BEM)是求解模型不同區域之間的邊界上未知節點的變量,然后由這些點的值求解需要的場量。
Nonaka和Ogawa[39]用邊界單元法計算了LIM性能,并與空間諧波法進行了比較,結果基本一致,但并未與實際試驗對比,計算精度未知。T.Onuki[40]提出了BEM,通過邊界條件和方程求解分界面之間的節點磁通密度等。該方法整體上簡單易行,但存在如下缺點:①磁場飽和時不容易得到準確解;②需要較多計算時間和較大存儲空間;③運算矩陣多數情況是滿秩的,階數增多時不好處理。相對BEM,FEM運算矩陣大部分為稀疏矩陣,計算時間短,占用空間小。
為揚長避短,近年來一些學者提出FEM-BEM聯合解法,從而有效解決LIM磁場分析中的一些問題。B.Laporte[41]比較了空間諧波法和FEM-BEM,在邊界處和低轉差時,FEM-BEM精度更高,且運算時間相對較短。Koji Fujiwara[42]將FEM-BEM應用于LIM次級板渦流分析中,結果表明:該方法計算獲得的推力與試驗測定值更加接近,且具有更好的收斂性。