- 嵌入式產(chǎn)品分析與設(shè)計
- 王真星編著
- 1203字
- 2018-12-30 18:51:38
1.1 輸出
1.1.1 最簡單的I/O輸出
CPU的I/O輸出用來給外設(shè)提供信號,或者驅(qū)動外部執(zhí)行設(shè)備。因此,合理設(shè)計I/O輸出電路是產(chǎn)品穩(wěn)定的必要條件。輸出電路的設(shè)計需要考慮驅(qū)動的功率大小、頻率、噪聲等因素。以下首先介紹最基本的開關(guān)量輸出,條件是輸出開關(guān)頻率很低。圖1-1所示為最簡單的驅(qū)動電路。

圖1-1 最簡單的驅(qū)動電路
圖1-1是最簡單的驅(qū)動電路,由單片機(jī)出來的OUT信號通過R1驅(qū)動VT,R1和R2的關(guān)系要按照VT所處的開關(guān)狀態(tài)計算。也就是說,VT只有兩種狀態(tài):斷開與飽和導(dǎo)通,不允許出現(xiàn)放大狀態(tài)。假設(shè)電壓VCC為10V,電阻上承受的功率超過2W。如果三極管處于放大狀態(tài),我們假設(shè)通過調(diào)節(jié)R1讓三極管處于c、e之間有5V的壓降,這樣流過R2的電流是5/47安培(A)。三極管的功率為0.53W,由于8050三極管沒有散熱裝置,因此在短時間內(nèi)將很快發(fā)熱,最后發(fā)燙,通過熱輻射方式散熱,如果安裝在封閉機(jī)箱中,很快就會燒毀。
圖1-1中給定負(fù)載R2,其實(shí)是要計算R1,根據(jù)Ic=β*Ib,飽和情況下,VT的壓降約為0.2V,Ic≈(VCC-0.2)/R2≈0.209A。假設(shè)放大倍數(shù)β為60,Ib取3.5mA,單片機(jī)輸出的OUT電壓為4.8V,那么計算出通過R1的電流是(4.8-0.7)/R1=0.41mA。因此圖1-1的設(shè)計不合理,在給定負(fù)載情況下,要求通過R1的電流至少是3.5mA,而實(shí)際只有0.41mA,會導(dǎo)致三極管燒毀。那么如何調(diào)整呢?可以通過降低R1的阻值,增大Ib實(shí)現(xiàn)。現(xiàn)在要求至少3.5mA,因此R1=(4.8-0.7)/0.003 5=1.171kΩ,考慮裕余量,設(shè)計R1的阻值為1kΩ。
以上的前提條件是開關(guān)動作不頻繁,如果每1s內(nèi)連續(xù)執(zhí)行10次,則上述線路還是有問題的。問題出在什么地方呢?實(shí)際是由三極管從截止?fàn)顟B(tài)到飽和狀態(tài)的過程必須經(jīng)過放大狀態(tài)引起的。因?yàn)榻?jīng)過放大狀態(tài)是不可避免的,所以為了降低損耗,要盡量減少在放大狀態(tài)停留的時間。如果輸出的頻率很高,三極管同樣會發(fā)熱燒毀。圖1-2所示為三極管從截止到飽和的過程,特別要注意的是其中的轉(zhuǎn)換過程。

圖1-2 三極管從截止到飽和的過程
由圖1-2可知,t1和t2之間是三極管處于放大的狀態(tài),其時間長短與目前三極管輸出的電流大小,輸入的電流大小,b、e之間的電容大小都有關(guān)系,時間越長,對輸出管越不利。對于輸出頻率高、電流大的場合,除了選用適合設(shè)計參數(shù)的晶體管外,還需要在電路上進(jìn)行輔助的設(shè)計,用來盡可能減少變換的時間。也就是讓信號變化期間變得陡直。
為了讓信號變換顯得陡直,需要從三極管的特性進(jìn)行分析。三極管的集電極載流子受基極電流的影響,只要增大開通時的基極電流就能加快轉(zhuǎn)換,如圖1-3所示。可以看到,增加電容C1后,當(dāng)OUT是高電平時,由于C1電壓不能突變,將迅速通過C1向VT提供基極電流,這時的基極電流主要通過C1提供,隨著時間的推移,C1充電后承受電壓,基極電流將通過R1提供。

圖1-3 加快轉(zhuǎn)換的方法
以上電路雖然解決了轉(zhuǎn)換時間問題,但帶來的副作用是對CPU輸出引腳的沖擊較大,因?yàn)殚_通瞬間VT的基極回路阻抗基本是VT自身的Rbe,一種優(yōu)化的方式是給C1串聯(lián)電阻。
圖1-4所示是改進(jìn)后的基極驅(qū)動電路,其中,R3降低了開通瞬間的沖擊。但是R3的選擇必須合適,過大無法起到C1應(yīng)有的作用,過小會帶來沖擊。

圖1-4 改進(jìn)的基極驅(qū)動電路
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