4.3 NandFlash器件的操作

K9F2G08U0M NandFlash的基本操作包括讀、復(fù)制回讀、讀ID、復(fù)位、頁寫、緩存寫、復(fù)制回寫、塊擦除、隨機(jī)數(shù)據(jù)輸入、隨機(jī)數(shù)據(jù)輸出、狀態(tài)讀。完成對(duì)NandFlash的基本控制包括讀ID、頁讀、頁寫、狀態(tài)讀。

4.3.1 頁讀操作

NandFlash的頁讀操作時(shí)序如圖4-4所示。每次讀操作首先輸入讀取的起始地址，讀取的第一個(gè)數(shù)為起始地址所對(duì)應(yīng)的字節(jié)，然后地址自動(dòng)加1，接下來可連續(xù)讀取地址加1后的數(shù)據(jù)。這樣的連續(xù)讀取不能跨頁，即列地址不能超過2048+63。列地址超過2048+63的區(qū)域?yàn)榭瞻讌^(qū)域。

4.3.2 讀ID操作

K9F2G08U0M讀ID操作時(shí)序如圖4-5所示，K9F2G08U0M所對(duì)應(yīng)的ID為0xECDA8015。

4.3.3 頁寫操作

NandFlash的頁寫操作時(shí)序如圖4-6所示。每次寫操作首先輸入寫取的起始地址，之后的第一個(gè)數(shù)據(jù)為起始地址所對(duì)應(yīng)的字節(jié)，然后地址自動(dòng)加1，接下來的一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)被寫到起始地址加1所對(duì)應(yīng)的空間中。這樣的連續(xù)寫操作不能跨頁，即列地址不能超過2048+63。列地址超過2048+63的區(qū)域?yàn)榭瞻讌^(qū)域。

NandFlash的頁寫操作并不總是成功的，因?yàn)榭赡鼙粚懭氲捻摯鎯?chǔ)單元是壞的，因此，在寫操作之后需要讀取寫操作的最終狀態(tài)，若I/O[0]=0，則寫操作成功，否則寫操作失敗，說明該頁的存儲(chǔ)單元已經(jīng)被破壞，已經(jīng)不能使用。

4.3.4 塊擦除操作

塊擦除操作時(shí)序如圖4-7所示。塊擦除操作每次擦除一個(gè)塊，即64個(gè)頁。在對(duì)一個(gè)頁進(jìn)行寫操作之前，必須先將該頁所對(duì)應(yīng)的塊擦除。

一個(gè)塊可能是壞塊，塊擦除不一定成功，因此，在塊擦除結(jié)束后，必須讀取操作狀態(tài)。若I/O[0]=0，則寫操作成功，否則寫操作失敗，說明該頁的存儲(chǔ)單元已經(jīng)被破壞，已經(jīng)不能使用。