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第3章 半導(dǎo)體發(fā)光材料晶體導(dǎo)論

半導(dǎo)體發(fā)光器件的材料主要使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶,例如GaAs、GaP、GaN,或者是三元化合物晶體GaAsP、GaAlAs、InGaN以及四元化合物晶體InGaAlP、InGaAsP、AlGaAsSb等。本章主要介紹這些晶體的構(gòu)造、能帶結(jié)構(gòu)以及電學(xué)特性。這些內(nèi)容是了解、制造、測試發(fā)光材料和應(yīng)用這些材料制作發(fā)光器件的基礎(chǔ)。

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