1.2.1 GD32 MCU發(fā)展歷程

GD32 MCU的發(fā)展歷程大致可以分為以下3個(gè)階段。

1.開(kāi)始階段

如圖1-1所示，從2013年推出GD32F103系列MCU開(kāi)始到2016年，GigaDevice公司不斷豐富基于M3內(nèi)核的產(chǎn)品線，并陸續(xù)推出GD32F10×、GD32F1×0及GD32F20×系列產(chǎn)品，從而使M3內(nèi)核產(chǎn)品形成平臺(tái)化。

2013年GigaDevice公司推出第一款以M3為內(nèi)核的主流系列產(chǎn)品GD32F10×。該系列產(chǎn)品的最高主頻為108MHz，最大Flash容量為3MB，最大SRAM容量為96KB，具有豐富的片內(nèi)外設(shè)資源，其中定時(shí)器模塊多達(dá)18個(gè)，通信模塊包括多路USART/UART串口、SPI、IIC接口、USB接口、SDIO接口以及以太網(wǎng)接口，模擬模塊包括多路ADC和DAC，具有EXMC接口，可支持外擴(kuò)SRAM、NOR Flash以及NAND Flash等存儲(chǔ)器并可驅(qū)動(dòng)8080接口液晶屏。相較于市場(chǎng)同類產(chǎn)品，GD32F10×系列具有更高的主頻、更大的Flash容量，并由于具有g(shù)Flash專利技術(shù)，在同主頻下具有更高的代碼執(zhí)行效率。GD32F10×系列推向市場(chǎng)后得到了廣大客戶的歡迎。

2014年GigaDevice公司推出工作電壓為3.3V以M3為內(nèi)核的超值系列產(chǎn)品GD32F130/150。該系列產(chǎn)品的最高主頻為72MHz，最大Flash容量為64KB，最大SRAM容量為8KB。相較于GD32F10×系列MCU，該系列產(chǎn)品具有更低的成本和功耗，可滿足低成本的應(yīng)用需求。

2015年GigaDevice公司推出以M3為內(nèi)核的高性能系列產(chǎn)品G32F20×。該系列產(chǎn)品的最高主頻為120MHz，最大Flash容量為3MB，最大SRAM容量為256KB，可以覆蓋GD32F10×系列的外設(shè)資源配置，并可向下軟硬件兼容GD32F10×系列。除集成了GD32F10×系列片內(nèi)外設(shè)外，GD32F20×系列片內(nèi)還集成了CRC（循環(huán)冗余校驗(yàn)）計(jì)算單元、TRNG（真隨機(jī)數(shù)生成器）、CAU（加密處理器）以及HAU（哈希處理器）模塊，這讓它具有更高的安全性能。GD32F20×還集成了攝像頭接口及TLI接口（TFT_LCD接口），這讓它可支持外擴(kuò)攝像頭及TFT液晶屏。

2016年1月GigaDevice公司推出工作電壓為5V以M3為內(nèi)核超值系列產(chǎn)品GD32F170/190。該系列最高主頻為72MHz，最大Flash容量為64KB，最大SRAM容量為8KB，可兼容GD32F130/150系列。除集成了GD32F130/150系列片內(nèi)外設(shè)外，GD32F170/190系列片內(nèi)還集成了SLCD段碼液晶驅(qū)動(dòng)模塊、OPA（運(yùn)算放大器）、CAN（內(nèi)置CAN PHY）及TSI（電容觸摸）模塊等，讓它可滿足家電、工業(yè)等領(lǐng)域的部分5V供電的需求。

2.成長(zhǎng)階段

如圖1-2所示，自2016年9月（推出第一款基于M4內(nèi)核的GD32F450系列MCU）至2017年，GigaDevice公司基于新的產(chǎn)品工藝以及M4內(nèi)核，迅速推出M4系列產(chǎn)品并向下兼容M3系列產(chǎn)品。

2016年年底至2017年年初，GigaDevice公司推出以M4為內(nèi)核的高性能產(chǎn)品GD32F4××。該系列產(chǎn)品的最高主頻為200MHz，最大Flash容量為3MB，最大SRAM容量為512KB，具有非常豐富的片內(nèi)外設(shè)資源，并可支持BGA176引腳封裝，可滿足高性能的應(yīng)用需求。

2017年3月GigaDevice公司推出以M4為內(nèi)核的主流型產(chǎn)品GD32F30×。該系列產(chǎn)品的最高主頻為120MHz，最大Flash容量為3MB，最大SRAM容量為96KB，可向下兼容GD32F10×系列產(chǎn)品。相較于GD32F10×系列，GD32F30×系列產(chǎn)品具有更高的主頻以及更優(yōu)異的內(nèi)核性能。

2017年5月GigaDevice公司推出以M4為內(nèi)核的超值系列產(chǎn)品GD32F3×0。該系列產(chǎn)品的最高主頻為108MHz，最大Flash容量為128KB，最大SRAM容量為16KB，可向下兼容GD32F1×0系列產(chǎn)品，相較于GD32F1×0系列，GD32F3×0系列產(chǎn)品具有更高的主頻、更豐富的外設(shè)資源（新增OTG模塊、TSI模塊、2路比較器）以及更優(yōu)異的內(nèi)核性能。

3.全面發(fā)展階段

自2017年下半年至本書(shū)完稿時(shí)，GD32 MCU進(jìn)入全面發(fā)展階段。

（1） 引入嵌入式eFlash技術(shù)，先后推出GD32E103、GD32C103、GD32E230、GD32E50×等不同系列的MCU，這些產(chǎn)品具有更寬的工作電壓、更低的產(chǎn)品功耗、更短的Flash擦寫(xiě)時(shí)間等特性，可滿足更高性能、更低功耗的應(yīng)用需求。

（2）針對(duì)光模塊應(yīng)用市場(chǎng)，推出GD32E232、GD32E501光模塊系列產(chǎn)品；針對(duì)行業(yè)應(yīng)用需求，集成更小封裝產(chǎn)品（支持QFN24、QFN32、BGA64）以及相關(guān)外設(shè)，提供IIC BOOT、CLA（可編程邏輯陣列）、8路DAC、MDIO接口以及IO復(fù)位保持等功能。

（3）針對(duì)低功耗應(yīng)用市場(chǎng)，推出GD32L233超低功耗系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品的最高主頻為64MHz，集成了64～256KB的嵌入式eFlash和16～32KB的SRAM，深度睡眠功耗降至2μA[1]，喚醒時(shí)間低于10μs，待機(jī)功耗僅為0.4μA，深度睡眠模式下可支持LPtimer、LPUART、RTC、LCD、IIC等多個(gè)外設(shè)喚醒，具有多種運(yùn)行模式和休眠模式，提供了優(yōu)異的功耗效率和優(yōu)化的處理性能。

（4）針對(duì)無(wú)線通信應(yīng)用市場(chǎng)，推出GD32W515 Wi-Fi無(wú)線通信系列產(chǎn)品SoC，集成2.4GHz單流IEEE802.11b/g/n MAC/Baseband/RF射頻模塊。該系列MCU集成TrustZone硬件安全機(jī)制，最高主頻為180MHz，配備了高達(dá)2MB的片上Flash和448KB的SRAM，與各廠商無(wú)線路由器具有極佳的兼容性，可以快速建立連接并完成通信。

（5）針對(duì)汽車應(yīng)用市場(chǎng)，推出GD32A503系列車規(guī)級(jí)MCU，采用先進(jìn)的車規(guī)級(jí)工藝平臺(tái)以及生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，符合車用高可靠性和穩(wěn)定性要求，可用于車身控制、輔助駕駛及智能座艙等多種電氣化車用場(chǎng)景。

（6）推出全球首款基于RISC-V內(nèi)核的GD32VF103系列MCU，提供從芯片到程序代碼庫(kù)、開(kāi)發(fā)套件、設(shè)計(jì)方案等的完整工具鏈支持。

（7）圍繞GD32 MCU，推出信號(hào)鏈相關(guān)的周邊模擬產(chǎn)品GD30系列，包括電源管理單元、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC、高性能電源IC以及鋰電管理IC。這個(gè)系列的產(chǎn)品豐富了GD32 MCU“百貨商店”類產(chǎn)品，可為客戶提供更多的產(chǎn)品解決方案。

（8）預(yù)計(jì)后續(xù)GigaDevice會(huì)不斷推出新的MCU產(chǎn)品并繼續(xù)豐富現(xiàn)有產(chǎn)品線，以滿足更多應(yīng)用場(chǎng)景下的MCU應(yīng)用需求。