1.5.2 雙極型功率晶體管

雙極型功率晶體管雖然存在二次擊穿、安全工作區(qū)受各項(xiàng)參數(shù)影響而變化大、熱容量小、過(guò)電流能力弱等缺點(diǎn)，學(xué)術(shù)界也一直有雙極型功率晶體管將被功率MOS器件和IGBT所取代的觀點(diǎn)，但由于其成熟的加工工藝、極高的成品率和較低的成本，使雙極型功率晶體管仍然在功率開關(guān)器件里占有一席之地。