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三、投資情況

(一)半導(dǎo)體企業(yè)資本支出

根據(jù) IC Insights 的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2018 年全球半導(dǎo)體企業(yè)資本支出超過1000億美元,達(dá)到歷史最高值,同比增長15%,如表1-2所示。前五大半導(dǎo)體資本支出占比達(dá)到66%,同比增長16%。預(yù)計2019年半導(dǎo)體行業(yè)整體資本支出將出現(xiàn)下降,由于存儲器市場疲軟需求不足,三星電子、SK 海力士和美光科技三大龍頭企業(yè)的資本支出將從454億美元下降到375億美元,下降17%。全球半導(dǎo)體企業(yè)資本支出總額下降到 946億美元,其中前五大企業(yè)下降 14%,至610億美元。

三星電子的資本支出排名第一,2010—2016 年年均資本支出為 120 億美元,特別是在存儲器市場需求旺盛的驅(qū)動下,2017年資本支出出現(xiàn)成倍增長,高達(dá)242億美元,2018年仍保持226億美元的較高水平,如圖1-7所示。SK海力士也加快產(chǎn)能擴充計劃,資本支出增長速度高達(dá) 58%,主要用于韓國 3D NAND閃存晶圓廠和中國無錫DRAM晶圓廠的擴建。

表1-2 2018年全球主要半導(dǎo)體企業(yè)資本支出

數(shù)據(jù)來源:IC Insights,2019,01。

圖1-7 2010—2018年三星電子資本支出情況

(數(shù)據(jù)來源:IC Insights,2019,01)

隨著政策優(yōu)化和國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展,中國企業(yè)的資本支出近年來也大幅上漲。據(jù)IC Insights統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2018年中國半導(dǎo)體企業(yè)資本支出大幅提高到110億美元,占據(jù)全球半導(dǎo)體總資本支出的10.3%,達(dá)到2015年的5倍,而且也將超過總部在日本和歐洲的半導(dǎo)體公司的總和,如圖 1-8 所示。其中中芯國際、華虹宏力、長江存儲等公司加快新建和擴充生產(chǎn)線,成為中國企業(yè)資本支出增長的重要代表。隨著工藝制程線寬持續(xù)縮小和代工行業(yè)的競爭積累,歐洲和日本的大量公司都放棄制造業(yè)務(wù),轉(zhuǎn)向芯片設(shè)計,因此企業(yè)的資本支出也出現(xiàn)大幅下降。2018 年日本半導(dǎo)體公司占整個行業(yè)資本支出總額的 6%,比2005年22%的份額大幅下降。

圖1-8 2014—2018年中國半導(dǎo)體企業(yè)資本支出和日本、歐洲企業(yè)對比

(數(shù)據(jù)來源:IC Insignts,2019,01)

(二)半導(dǎo)體設(shè)備支出

根據(jù)SEMI的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2018年北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額從6月開始就持續(xù)下滑,到11月甚至下降到11.44億美元,直到12月才出現(xiàn)小幅回升,如圖1-9所示。12月北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額為21.04億美元,雖然環(huán)比上漲8.2%,但是同比仍下降 12.5%,連續(xù)兩個月出現(xiàn)同比下降。半導(dǎo)體設(shè)備支出低迷主要受兩方面因素影響,一是由于存儲器投資逐漸衰退,整個半導(dǎo)體市場增長速度放緩;二是受貿(mào)易戰(zhàn)影響,不確定性因素影響了市場需求,企業(yè)擴產(chǎn)計劃趨于謹(jǐn)慎。預(yù)計2019年1月設(shè)備出貨金額仍保持低迷,僅有18.9億美元,同比大幅下降20%。隨著存儲器市場回暖,2019年下半年設(shè)備支出金額將有望反彈。

(三)半導(dǎo)體企業(yè)研發(fā)投入

隨著工藝制程的不斷縮小,芯片研發(fā)成本不斷上升,半導(dǎo)體企業(yè)的研發(fā)投入都有所提升。2018年全球半導(dǎo)體企業(yè)研發(fā)投入合計超過600億美元,其中有18家企業(yè)超過10億美元,合計為503億美元,同比增長8%。在研發(fā)投入超過10億美元的企業(yè)中,美國企業(yè)8家,日本企業(yè)4家,歐洲企業(yè)2家,韓國企業(yè)2 家,中國臺灣企業(yè) 2 家。美國 8 家企業(yè)分別為英特爾、高通、博通、英偉達(dá)、美光科技、德州儀器、AMD和ADI,研發(fā)投入合計為314億美元。日本4 家企業(yè)均進入前十,研發(fā)投入合計 51 億美元。歐洲兩家企業(yè)分別為恩智浦和意法半導(dǎo)體。

圖1-9 2018年1~12月北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額及增長率

(數(shù)來源:SEMI,2019,02)

前十大半導(dǎo)體企業(yè)研發(fā)投入中,英特爾仍高居榜首,從2012年研發(fā)費用突破百億美元以后,已經(jīng)連續(xù)7年保持增長,2018年研發(fā)投入高達(dá)135億美元,同比增長 4%,占銷售收入的比重穩(wěn)定在 20%左右。高通作為全球最大的芯片設(shè)計公司,研發(fā)費用排名第二,占銷售額的比重也逐年增長,2018 年為 56 億美元。英偉達(dá)為排名前十的企業(yè)中研發(fā)投入增長最快的,2018年研發(fā)投入為23億美元,同比增長 30%,主要是在人工智能市場旺盛的帶動下,企業(yè)的銷售額和研發(fā)都出現(xiàn)大幅增長,如表1-3所示。

表1-3 2018年全球半導(dǎo)體企業(yè)研發(fā)投入排名

續(xù)表

數(shù)據(jù)來源:企業(yè)財報,2019,02。

(四)半導(dǎo)體企業(yè)并購

繼 2017 年全球半導(dǎo)體并購步伐放緩之后,2018 年全球半導(dǎo)體并購案例進一步減少,全年涉及并購的金額下降到232億美元,僅有2015年1073億美元的1/5,但是仍為2010—2014年平均并購金額的兩倍,如圖1-10所示。主要受全球政治經(jīng)濟宏觀環(huán)境不確定性和中美經(jīng)貿(mào)摩擦的持續(xù),全球半導(dǎo)體企業(yè)之間的大型并購受到一定阻礙。2018年高通公司宣布以440億美元的現(xiàn)金收購恩智浦的交易,最終未達(dá)成收購。博通公司宣布以1300億美元收購高通將創(chuàng)造半導(dǎo)體并購歷史上的最高金額,隨后被美國政府一紙禁令否決。預(yù)計隨著并購標(biāo)的的減少和全球反壟斷機構(gòu)的審查,后續(xù)巨頭企業(yè)之間的大型并購將逐漸減少,面向新興應(yīng)用的并購將成為重要趨勢。

圖1-10 2010—2018年全球半導(dǎo)體并購交易額

(數(shù)據(jù)來源:IC Insights,賽迪智庫整理,2019,02)

2018年全球并購案金額基本均在百億美元以下,涉及金額最大的兩起并購案為微芯科技以83.5億美元并購美高森美,瑞薩電子以67億美元并購IDT,共占整個行業(yè)并購金額的 65%。從主要并購案情況看,龍頭企業(yè)擴張的并購案例為微芯科技并購美高森美,美高森美為美國軍事及航空半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的供應(yīng)商,產(chǎn)品主要用于國防、通信和航空航天領(lǐng)域,其在軍事和航空應(yīng)用的芯片處于全球領(lǐng)先地位;微芯科技為全球領(lǐng)先的 MCU 和模擬半導(dǎo)體企業(yè),此前曾以36 億美元并購 Atmel,此次并購將繼續(xù)擴展微芯科技在軍事等終端應(yīng)用的市場份額,極大增強其自身產(chǎn)品和應(yīng)用實力。

另一大重要的并購案例為瑞薩電子并購 IDT,這是日本半導(dǎo)體歷史上涉及金額最大的并購,預(yù)計此交易將在2019年上半年完成。IDT是總部位于美國的上市公司,在通信芯片及研發(fā)和設(shè)計上具有較強實力;瑞薩電子由日立芯片部門與三菱電機合并而成,在汽車電子、模擬器件、MCU 等領(lǐng)域擁有很強的實力。此次并購瑞薩電子將獲得IDT在無線網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲用芯片方面的技術(shù),極大提升其在汽車電子、自動駕駛領(lǐng)域的產(chǎn)品線和全面的解決方案。

2018年全球半導(dǎo)體重大并購案例中,幾件受人關(guān)注的并購案例來自中國企業(yè),包括聞泰科技并購安世半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)并購 Akrion、賽靈思并購深鑒科技、阿里巴巴并購中天微等,如表 1-4 所示。其中,聞泰科技并購安世半導(dǎo)體成為中國半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的并購案,安世半導(dǎo)體是全球十大半導(dǎo)體公司恩智浦的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部,2016年被建廣資產(chǎn)等國內(nèi)資本以27.6億美元收購,后重組為安世半導(dǎo)體;聞泰科技為全球最大的手機 ODM 公司,同時進軍筆記本電腦、平板電腦、汽車電子等領(lǐng)域,此次并購可以與聞泰科技現(xiàn)有業(yè)務(wù)形成較強的互補,形成產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)。

表1-4 2018年全球半導(dǎo)體重大并購案

數(shù)據(jù)來源:賽迪智庫整理,2019,02。

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