2.6 長真空間隙擊穿模型

現有的研究結果表明，真空間隙范圍不同，真空擊穿機理也會有所不同。觸頭間隙距離d≤0.5mm時，真空間隙的擊穿起因以場致發射為主，與真空間隙電場強度緊密相關；當真空間隙d≥2mm時，真空間隙的擊穿則主要由微粒引發。

現有真空擊穿理論是針對簡單平板模型的，實際輸電等級真空滅弧室中的擊穿現象要復雜得多。在以往關于真空擊穿的研究中，大多是擊穿現象的定性描述，針對輸電等級真空滅弧室擊穿機理的定量研究十分缺乏。為了對輸電等級空滅弧室的擊穿理論進行深入和定量研究，本節針對沖擊電壓作用下不同電場分布的輸電等級真空滅弧室擊穿過程，提出了一種基于微粒擊穿理論的高電壓等級真空滅弧室的擊穿理論模型。