2.5.2 數據存儲器

數據存儲器存儲隨機數據，也分為片內、片外兩部分。

STC片內數據存儲器為靜態數據存儲器（SRAM），有512B或1280B。片內RAM不夠用時，在片外可擴展至64KB SRAM。

1.片內數據存儲器

STC89系列內部SRAM分為兩個地址空間，即內部RAM（256B）和內部擴展RAM（其余字節）。主要使用的是內部RAM。

內部RAM共256B，其結構如圖2-4所示。片內數據存儲器分為3個部分：低128B（與傳統的8051兼容），高128B及特殊功能寄存器區。低128B RAM可以直接尋址和間接尋址，高128B RAM只能間接尋址。特殊功能寄存器區和高128B RAM的地址范圍相同，但物理上是相互獨立的，靠不同的尋址方式來區別。特殊功能寄存器只能用直接尋址訪問。

圖2-4 內部RAM結構

00H～1FH的32個單元是4組通用工作寄存器區，每區包含8B，為R7～R0。可通過指令改變PSW的RS1、RS0兩位來選擇（見表2-2）。

20H～2FH的16個單元的128位可位尋址，也可字節尋址。

30H～7FH單元只能字節尋址，用作隨機存取數據，以及作為堆棧區。

2.片外數據存儲器

當片內RAM不夠用時，可以在片外擴展，最多可外擴64KB的RAM。片內RAM與片外RAM兩個空間是相互獨立的，通過使用不同的訪問指令來訪問存儲區，不會發生訪問沖突。