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• 18.3 Synopsys 可制造性設計解決方案[10]
• 18.2 提高可制造性良品率的OPC技術
• 18.1 納米級IC可制造性設計理念
• 第18章 可制造性設計理念
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• 習題
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• 17.3 新一代集成電路虛擬制造系統 Sentaurus Workbench
• 17.2 新一代器件物理特性級仿真工具Sentaurus Device
• 17.1 新一代集成工藝仿真系統Sentaurus Process
• 第17章 可制造性設計工具
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• 習題
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• 16.5 集成電路芯片產業的質量管理
• 16.4 集成電路芯片產業的技術管理模式[14][15][16]
• 16.3 集成電路芯片產業的生產管理模式[11][12][13]
• 16.2 質量管理理論基礎
• 16.1 引言
• 第16章 芯片產業質量管理
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 15.5 超深亞微米CMOS工藝技術模塊簡介
• 15.4 典型的超深亞微米CMOS制造工藝
• 15.3 超深亞微米層次下的小尺寸效應
• 15.2 當代超深亞微米級層次的技術特征
• 15.1 當代微電子技術的飛速發展與技術進步
• 第15章 超大規模集成工藝
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 14.6 集成電路性能的可靠性保證
• 14.5 輻射效應對硅集成電路性能的影響
• 14.4 高能粒子輻射造成的失效行為
• 14.3 關于金屬化系統的失效
• 14.2 集成電路常見的失效模式及失效機理[1][2][3]
• 14.1 半導體器件的可靠性及其所包括的內容
• 第14章 管芯失效及可靠性
• 本章參考文獻
• 習題
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• 13.2 IC生產中常用的理化分析儀器
• 13.1 集成電路生產過程中進行理化分析的目的
• 第13章 工藝過程理化分析
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 12.6 集成電路動態參數測試簡述
• 12.5 集成電路靜態參數測試簡述
• 12.4 各種測試規范之間的關系
• 12.3 集成電路的測試方式和測試規范
• 12.2 集成電路的電性能測試
• 12.1 集成電路測試的種類和應用簡介
• 第12章 集成電路性能測試
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 11.4 集成電路管芯的外封裝技術
• 11.3 集成電路管芯內引線鍵合工藝
• 11.2 集成電路晶圓管芯的裝片技術
• 11.1 集成電路晶圓芯片的減薄及劃片技術
• 第11章 電路管芯鍵合封裝
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 10.4 微電子測試圖形在集成電路工藝流片監控中的應用
• 10.3 常用的微電子測試結構及其測試原理
• 10.2 微電子測試圖形的配置及作用
• 10.1 引言
• 第10章 集成結構測試圖形
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 9.4 集成電路制造平面工藝二維仿真系統TSUPREM-4[6][7]
• 9.3 集成電路制造平面工藝一維仿真系統SUPREM-2
• 9.2 集成電路工藝仿真系統簡介
• 9.1 引言
• 第9章 集成電路工藝仿真[1][2][3][4][5]
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 8.3 當代計算機輔助掩模制造技術
• 8.2 光刻掩模版設計和制備的基本過程
• 8.1 集成電路掩模版制備簡述[1][2][3][4]
• 第8章 掩模制備工藝原理
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 7.3 典型的光刻工藝原理
• 7.2 關于光致抗蝕劑
• 7.1 引言
• 第7章 圖形光刻工藝原理
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 6.3 化學氣相淀積的安全性[15][16][17][18]
• 6.2 晶圓CVD加工需求最多的幾種介質薄膜
• 6.1 常用的幾種化學氣相淀積方法[1][2][3][4]
• 第6章 薄膜氣相淀積工藝
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 5.6 離子注入的工藝實現
• 5.5 離子注入設備
• 5.4 離子注入退火
• 5.3 離子注入損傷
• 5.2 關于離子注入技術的理論描述
• 5.1 離子注入摻雜技術的特點
• 第5章 離子注入低溫摻雜
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 4.6 深亞微米工藝仿真系統所設置的小尺寸效應模型
• 4.5 擴散行為的仿真及影響擴散行為的效應
• 4.4 實際擴散行為與理論分布的差異
• 4.3 常規熱擴散工藝簡介
• 4.2 常規高溫熱擴散的數學描述[10][11]
• 4.1 固體中的熱擴散現象及擴散方程
• 第4章 半導體的高溫摻雜
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 3.5 典型熱生長氧化介質膜的常規生長模式
• 3.4 氧化硅介質膜的熱生長動力學原理
• 3.3 氧化硅介質膜影響雜質遷移行為的內在機理
• 3.2 二氧化硅介質膜的主要性質
• 3.1 氧化硅介質膜的基本結構
• 第3章 氧化介質薄膜生長
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 2.6 發生在硅氣相外延生長過程中的二級效應[21]
• 2.5 關于氣相外延生長的工藝環境和工藝條件[13][14][15]
• 2.4 常規硅氣相外延生長過程的結晶學原理
• 2.3 常規硅氣相外延生長過程的動力學原理[10][11]
• 2.2 外延生長工藝方法概論
• 2.1 關于外延生長技術
• 第2章 外延生長工藝原理
• 本章參考文獻
• 習題
• 本章小結
• 1.8 硅單晶的各向異性特征在管芯制造中的應用
• 1.7 直拉法生長硅單晶
• 1.6 半導體硅材料的提純技術
• 1.5 關于半導體硅材料及硅襯底晶片的制備
• 1.4 集成電路技術的發展和硅材料的關系
• 1.3 半導體單晶制備過程中的晶體缺陷[4][5]
• 1.2 半導體材料硅的結構特征
• 1.1 半導體材料的特征與屬性
• 第1章 硅材料及襯底制備
• 習題
• 本章小結
• 緒論
• 序言
• 前言
• 版權信息
• 封面

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• 習題
• 第1章 硅材料及襯底制備
• 1.1 半導體材料的特征與屬性
• 1.2 半導體材料硅的結構特征
• 1.3 半導體單晶制備過程中的晶體缺陷[4][5]
• 1.4 集成電路技術的發展和硅材料的關系
• 1.5 關于半導體硅材料及硅襯底晶片的制備
• 1.6 半導體硅材料的提純技術
• 1.7 直拉法生長硅單晶
• 1.8 硅單晶的各向異性特征在管芯制造中的應用
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• 第2章 外延生長工藝原理
• 2.1 關于外延生長技術
• 2.2 外延生長工藝方法概論
• 2.3 常規硅氣相外延生長過程的動力學原理[10][11]
• 2.4 常規硅氣相外延生長過程的結晶學原理
• 2.5 關于氣相外延生長的工藝環境和工藝條件[13][14][15]
• 2.6 發生在硅氣相外延生長過程中的二級效應[21]
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• 第3章 氧化介質薄膜生長
• 3.1 氧化硅介質膜的基本結構
• 3.2 二氧化硅介質膜的主要性質
• 3.3 氧化硅介質膜影響雜質遷移行為的內在機理
• 3.4 氧化硅介質膜的熱生長動力學原理
• 3.5 典型熱生長氧化介質膜的常規生長模式
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• 第4章 半導體的高溫摻雜
• 4.1 固體中的熱擴散現象及擴散方程
• 4.2 常規高溫熱擴散的數學描述[10][11]
• 4.3 常規熱擴散工藝簡介
• 4.4 實際擴散行為與理論分布的差異
• 4.5 擴散行為的仿真及影響擴散行為的效應
• 4.6 深亞微米工藝仿真系統所設置的小尺寸效應模型
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• 習題
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• 第5章 離子注入低溫摻雜
• 5.1 離子注入摻雜技術的特點
• 5.2 關于離子注入技術的理論描述
• 5.3 離子注入損傷
• 5.4 離子注入退火
• 5.5 離子注入設備
• 5.6 離子注入的工藝實現
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• 第6章 薄膜氣相淀積工藝
• 6.1 常用的幾種化學氣相淀積方法[1][2][3][4]
• 6.2 晶圓CVD加工需求最多的幾種介質薄膜
• 6.3 化學氣相淀積的安全性[15][16][17][18]
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• 第7章 圖形光刻工藝原理
• 7.1 引言
• 7.2 關于光致抗蝕劑
• 7.3 典型的光刻工藝原理
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• 習題
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• 第8章 掩模制備工藝原理
• 8.1 集成電路掩模版制備簡述[1][2][3][4]
• 8.2 光刻掩模版設計和制備的基本過程
• 8.3 當代計算機輔助掩模制造技術
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• 第9章 集成電路工藝仿真[1][2][3][4][5]
• 9.1 引言
• 9.2 集成電路工藝仿真系統簡介
• 9.3 集成電路制造平面工藝一維仿真系統SUPREM-2
• 9.4 集成電路制造平面工藝二維仿真系統TSUPREM-4[6][7]
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• 第10章 集成結構測試圖形
• 10.1 引言
• 10.2 微電子測試圖形的配置及作用
• 10.3 常用的微電子測試結構及其測試原理
• 10.4 微電子測試圖形在集成電路工藝流片監控中的應用
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• 習題
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• 第11章 電路管芯鍵合封裝
• 11.1 集成電路晶圓芯片的減薄及劃片技術
• 11.2 集成電路晶圓管芯的裝片技術
• 11.3 集成電路管芯內引線鍵合工藝
• 11.4 集成電路管芯的外封裝技術
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• 第12章 集成電路性能測試
• 12.1 集成電路測試的種類和應用簡介
• 12.2 集成電路的電性能測試
• 12.3 集成電路的測試方式和測試規范
• 12.4 各種測試規范之間的關系
• 12.5 集成電路靜態參數測試簡述
• 12.6 集成電路動態參數測試簡述
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• 第13章 工藝過程理化分析
• 13.1 集成電路生產過程中進行理化分析的目的
• 13.2 IC生產中常用的理化分析儀器
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• 習題
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• 第14章 管芯失效及可靠性
• 14.1 半導體器件的可靠性及其所包括的內容
• 14.2 集成電路常見的失效模式及失效機理[1][2][3]
• 14.3 關于金屬化系統的失效
• 14.4 高能粒子輻射造成的失效行為
• 14.5 輻射效應對硅集成電路性能的影響
• 14.6 集成電路性能的可靠性保證
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• 第15章 超大規模集成工藝
• 15.1 當代微電子技術的飛速發展與技術進步
• 15.2 當代超深亞微米級層次的技術特征
• 15.3 超深亞微米層次下的小尺寸效應
• 15.4 典型的超深亞微米CMOS制造工藝
• 15.5 超深亞微米CMOS工藝技術模塊簡介
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• 第16章 芯片產業質量管理
• 16.1 引言
• 16.2 質量管理理論基礎
• 16.3 集成電路芯片產業的生產管理模式[11][12][13]
• 16.4 集成電路芯片產業的技術管理模式[14][15][16]
• 16.5 集成電路芯片產業的質量管理
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• 第17章 可制造性設計工具
• 17.1 新一代集成工藝仿真系統Sentaurus Process
• 17.2 新一代器件物理特性級仿真工具Sentaurus Device
• 17.3 新一代集成電路虛擬制造系統 Sentaurus Workbench
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• 習題
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• 第18章 可制造性設計理念
• 18.1 納米級IC可制造性設計理念
• 18.2 提高可制造性良品率的OPC技術
• 18.3 Synopsys 可制造性設計解決方案[10]
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• 附錄A 集成電路制造技術專業術語大全
• 附錄B 現代集成電路制造技術縮略語
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