1.1.3 離子束光刻技術(shù)

離子束光刻（Ion Beam Lithography，IBL）是在聚焦離子束技術(shù)基礎(chǔ)上將原子離化，形成能量可控的離子束（10～200keV），再用離子束對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。通過(guò)離子束中的能量、離子注入等引起抗蝕劑發(fā)生反應(yīng)，改變抗蝕層的物理化學(xué)性質(zhì)，形成可溶或更難溶區(qū)域，再通過(guò)顯影等后續(xù)處理技術(shù)以獲得微細(xì)線條的圖形。離子在固體中的散射效應(yīng)較小，可用較快地直接寫入速度進(jìn)行小于50nm的刻蝕，另外可以不用掩模、甚至不用抗蝕劑。這使IB技術(shù)作為理想的納米器件加工技術(shù)，成為50nm以下刻蝕技術(shù)領(lǐng)域中人們關(guān)注的又一個(gè)焦點(diǎn)。目前仍需解決的關(guān)鍵技術(shù)有：獲得穩(wěn)定可靠的離子源，離子束曝光中的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，掩模技術(shù)有待進(jìn)一步提高，當(dāng)使用負(fù)離子抗蝕劑時(shí)會(huì)出現(xiàn)抗蝕劑膨脹現(xiàn)象，從而影響分辨率[10]。另外，離子束的產(chǎn)生沒有電子束容易，產(chǎn)能很低。