- 模擬電子技術基礎(第2版)
- 王衛東 李旭瓊編著
- 3215字
- 2018-12-27 10:44:09
思考題與習題3
3.1填空題
(1)放大器的直流通路可用來求( ?。?。在畫直流通路時,應將電路元件中的( ?。╅_路,( ?。┒搪?。
(2)交流通路只反映( )電壓與( ?。╇娏髦g的關系。在畫交流通路時,應將耦合和旁路電容及恒壓源( ?。?/p>
(3)圖題3.1(3)所示共射放大器的輸出直流負載線方程近似為( ?。T撾娐返慕涣髫撦d線是經過( ?。c,且斜率為( ?。┑囊粭l直線。共射放大器的交流負載線是放大器工作時共射輸出特性曲線上的動態點( )的運動軌跡。

圖題3.1(3)
(4)CE放大器工作點選在( ?。┑闹悬c時,無削波失真的輸出電壓動態范圍最大。
(5)放大器信號源的等效負載是放大器的( )電阻,而向放大器的負載RL輸出功率的等效信號源的內阻是放大器的( ?。╇娮琛?/p>
(6)多級放大器的增益等于各級增益分貝數( ?。?。若放大器的Au=-70.7倍,則Au的分貝數為( ?。?/p>
(7)級聯放大器常用的級間耦合方式有( ?。詈?,( ?。詈虾停ā 。詈?。
(8)放大器級間產生共電耦合的原因是( ?。搽婑詈系姆椒ㄊ遣捎茫ā 。╇娐?。
(9)高增益直流放大器要解決的一個主要問題是( ?。?/p>
(10)在多級放大器中,中間某一級的( ?。╇娮枋巧弦患壍呢撦d。
(11)任何放大器的( ?。┰鲆婵偸谴笥?。
(12)從頻譜分析的角度而言,放大器非線性失真的主要特征是( )。
(13)圖題3.1(13)(a)和(b)是兩個無源單口網絡,圖(a)的端口等效電阻Ra等于( ?。?,圖(b)的端口等效電阻Rb等于( ?。?/p>

圖題3.1(13)
(14)圖題3.1(14)是某放大器的通用模型。如果該放大器的端電壓增益Au =-100,則該放大器的Aus=( ?。ヾB,Auo=( ?。ヾB,Ai=( )dB,AP=( )dB。

圖題3.1(14)
(15)在BJT三種基本放大器中,CE組態使用較多的一個原因是( )增益最大。
(16)當溫度增加時,晶體管的直流參數( ?。┖停ā 。┰黾?,而( ?。p小,使圖題3.1(16)偏置電路的工作點向( )移動。

圖題3.1(16)
(17)當溫度增加時,圖題3.1(16)電路的電流( ?。缀醪蛔?,而電流( )明顯增大,電壓( ?。┟黠@減小。
(18)圖題3.1(18)所示偏置電路稱為( ?。┢秒娐?。當電路滿足條件( )或( ?。r,穩Q效果較好。

圖題3.1(18)
(19)圖題3.1(18)電路中,只有電阻( ?。?span id="pqvunui" class="italic">IC幾乎無影響,但RC增加時,工作點會移向( ?。﹨^。
(20)在FET分立元件放大電路中,常采用的偏置電路是( ?。╇娐泛停ā 。╇娐?。但( ?。┢秒娐凡荒苡糜谠鰪娦蚆OSFET。
(21)FET的三種基本放大組態:CS組態、CD組態和CG組態,其放大特性分別與BJT的( ?。┙M態、( )組態和( )組態相似。
(22)FET的( ?。┬cBJT的基區寬調效應相似?;鶇^寬調效應使集電結反偏電壓變化對各極電流有影響,而FET的該效應使電壓( ?。┑淖兓瘜?span id="oyfmbik" class="italic">iD產生影響。
(23)FET的小信號參數( ?。┦菧系勒{制效應的反映。
3.2判斷圖題3.2中哪些電路能正常放大正弦輸入電壓ui?哪些不能正常放大ui?并請將不能正常放大正弦輸入電壓的電路改正成可以正常放大的電路。

圖題3.2
3.3電路如圖題3.3所示。設晶體管的UBEQ=0.7 V,β=80,Rc=5.1 kΩ,Rb =220 kΩ。

圖題3.3
(1)試求ui=0時的IBQ、ICQ、UCEQ及晶體管的集電極功耗PC=UCEQICQ的值;
(2)若將圖中的晶體管換成另一只β=150的管子,電路還能否正常放大信號?為什么?
3.4電路如圖題3.4所示。設β=100,UBEQ=0.7 V,rbb′=200 Ω,Au =-200,Rc=4 kΩ,EC=12 V。

圖題3.4
(1)試選擇Rb的阻值;
(2)求電路的UCEQ的值;
(3)若要求UCEQ=10 V,那么Rb的阻值應該多大?在這種情況下,電路的Au及動態范Uop-p是多少?
3.5電路如圖題3.5所示。已知:晶體管VT的β=100,rbb′=300 ΩUBEQ=0.7 V,EC=12 V,Rb1 =210 kΩ,Rb2 =50 kΩ,Rc=2 kΩ,R=100 Ω,Re1 =300 Ω,Re2 =700 Ω,RL=2 kΩ,C1 =C2 =10 μF,C3 =Ce=100 μF。試估算:(1)靜態工作點Q(畫出直流通路);(2)Au、Ri、Ro(畫出微變等效電路)。

圖題3.5
3.6電路如圖題3.6所示。設VT為硅管,β=50,rbb′=100 Ω,Rb1 =62 kΩ,Rb2 =15 kΩ,Rc=3 kΩ,Re=1 kΩ,C1 =C2 =10 μF,Ce=47 μF,RL=3 kΩ,EC=24 V。試求:

圖題3.6
(1)靜態時的IBQ、ICQ、UCEQ、UCQ的值(畫出直流通路);
(2)電路的Au、Ri、Ro(畫出微變等效電路);
(3)Ce開路時的靜態工作點及Au、Ri、Ro(畫出微變等效電路)。
3.7電路如圖題3.7所示。已知VT為3AX31型鍺管(UBEQ=-0.2 V),rbb′=300 Ω,β=80,Rb =12 kΩ,RL=2 kΩ,Re=150 Ω,C1 =C2 =10 μF,-EC=-6 V,信號源的內阻Rs=1 kΩ,Rc=10 Ω。

圖題3.7
(1)估算靜態工作點的值;
(2)畫出微變等效電路;
(3)求,,Ri和Ro的值。
3.8電路如圖題3.8所示。已知VT為3BXl型鍺低頻小功率三極管,β=20,rbb′=300 Ω,UBEQ=+0.2 V,電路中Rb1 =27 kΩ,電位器RW=20 kΩ,Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,EC=10 V,C1 =C2 =10 μF,Ce=47 μF,輸入正弦電壓的有效值Ui=10 mV。試求:

圖題3.8
(1)電位器調至滑動觸點與“地”之間的電阻為10 kΩ時的Uo的值;
(2)電位器滑動觸點調至最上端或最下端時,uo波形是否會產生失真?若產生失真,問產生的是什么失真?
3.9在圖題3.9(a)所示的CE放大器中,晶體管輸出特性曲線已知(見圖題3.9(b)),且該管靜態,UBEQ=0.72 V。

圖題3.9
(1)在圖題3.9(b)上作直流負載線,確定工作點的坐標ICQ和UCEQ的值。
(2)在圖題3.9(b)上作交流負載線,確定無削波失真的最大輸出電壓的振幅。
(3)如果增大源電壓us,直到輸出uo出現削波失真,試畫出這時uo的波形。這是飽和失真還是截止失真?為什么?
3.10將題3.9(a)中的NPN管改為PNP管(電源應改為負電源)。若輸出電壓uo出現同一削波失真的波形,這是什么失真?為什么?
3.11小信號放大器如圖題3.11所示。這是什么組態的放大器?若BJT的β=100,rbe=1.5 kΩ,忽略基區寬調效應,求中頻段的Ri,Ro,Au和Aus。

圖題3.11
3.12兩級小信號放大器如圖題3.12所示。VT1和VT2 的小信號參數分別為β1,rbe1和β2,rbe2。不計兩管的基區寬調效應。圖中所有電容都是旁路或耦合電容。

圖題3.12
(1)畫出放大器中頻段的交流通路。
(2)求放大器中頻段的Ri,Ro和Aus。
3.13電路如圖題3.13所示。已知R1 =330 kΩ,R2 =10 kΩ,R3 =2 kΩ,R4 =15 kΩ,R5 =51 kΩ,R6 =4.7 kΩ,EC=12 V,各電容均足夠大,對交流信號可視為短路;VT1 和VT2 的β=50,rbb′=100 Ω,|UBE|=0.7V。

圖題3.13
(1)試求Au及Ri;
(2)請分析uo與ui的相位關系。
3.14 JFET自給偏壓放大器如圖題3.14所示。設RD=12 kΩ,RG=1 MΩ,RS =470 Ω,電源電壓E =30 V。FET的參數:IDSS =3 mA,UGS(of)=-2.4 V。

圖題3.14
(1)求靜態工作點UGSQ、IDQ和UDSQ。
(2)當漏極電阻超過何值時FET會進入可變電阻區?
3.15在圖題3.15所示電路中,已知JFET的IDSS =1 mA,UGS(of)=-1 V。如果要求漏極到地的靜態電壓UDQ=10 V,求電阻R1的阻值。

圖題3.15
3.16電路如圖題3.16所示。已知:ED=-24 V,R1 =90 kΩ,R2 =25 kΩ,R3 =1 MΩ,RD=RS =10 kΩ;場效應管的IDSS =-2 mA,UGS(of)=5 V;電容C1、C2、C3的值均足夠大,對交流信號可以視為短路。試求:

圖題3.16
(1)靜態工作點UGSQ、IDQ和UDSQ;
(2)從漏極輸出時的電壓放大倍數i及輸出電阻Ro1;
(3)從源極輸出時的電壓放大倍數i及輸出電阻Ro2;
(4)輸入電阻Ri的值。
3.17 N溝道JFET共漏放大器如圖題3.17所示,電路參數為R1 =40 kΩ,R2 =60 kΩ,R3 =2 MΩ,R4 =20 kΩ,負載電阻RL=80 kΩ,電源電壓ED=30 V。JFET的IDSS =4 mA,UGS(of)=-4 V,rds=40 kΩ。試計算增量跨導gm,并求端電壓增益Au、電流增益Ai、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。

圖題3.17
3.18電路如圖題3.18所示。已知ED=12 V,RG=1 MΩ,RS1 =100 Ω,RS2 =2 kΩ,場效應管的IDSS =5 mA、UGS(of)=-5 V。試求Au和Ri的值。

圖題3.18
3.19電路如圖題3.19所示。已知RS =470 Ω,RD=2 kΩ,RL=2 kΩ,場效應管的gm=8 mS(忽略rds)。

圖題3.19
(1)畫出微變等效電路,求出Au和Ri的值;
(2)畫出求Ro的等效電路,求出Ro的值。
3.20場效應管放大電路如圖題3.20所示。已知ED=+30 V,ES =-18 V,RG=1 MΩ,VT1 的IDSS =12.5 mA、UGS(of)=-6 V,VT2 的IDSS =8 mA,UGS(of)=-4 V,電路中VT1 的IDlQ=2 mA,UDS1Q=10 V。試求RS、RD和Au的值。

圖題3.20
3.21圖題3.21所示為CD-CB組合放大電路。VT1和VT2 的小信號參數分別為gm,rds和β,rbe。畫出微變等效電路,求出Au的表達式。

圖題3.21
3.22觀察圖題3.22所示電路,晶體管參數為,UGS(th)1 =UGS(th)2 =0.8 V和λ1 =λ2 =0。

圖題3.22
①試設計電路使UDSQ2 =7 V和Ri=400 kΩ,求R1和R2。
②試求相應的IDQ1、IDQ2和UDSQ1的值。
③試計算相應的小信號電壓增益Au =uo/ui和輸出電阻Ro。
3.23圖題3.23所示的電路,晶體管參數為,UGS(th)1 =UGS(th)2 =2 V和λ=λ=0。試求:

圖題3.23
①IDQ1、IDQ2和UDSQ1和UDSQ2。
②gm1和gm2。
③總的小信號電壓增益Au =uo/ui。