1.2 內(nèi)容安排和說明

目前，有兩類關(guān)于化合物半導(dǎo)體器件的著作：一類是由理論研究人員撰寫的器件物理方面的經(jīng)典著作，注重器件理論模型，但往往弱化了化合物半導(dǎo)體材料制備和器件工藝的問題；另一類著作從新型器件的實驗和器件工藝出發(fā)，所涉及的理論模型一般較為簡單。從理論分析和工程實際的完整性考量，兩者都不適合作為教材。

本書的作者通過總結(jié)自己的工作，結(jié)合電子工業(yè)發(fā)展的最新現(xiàn)狀，系統(tǒng)、全面地介紹了化合物半導(dǎo)體器件最前沿的研究和發(fā)展，從理論模型和工藝實驗兩個方面闡述了多種器件的工作機理和發(fā)展現(xiàn)狀。除了器件的工作原理，作者還對半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)研究及其對器件的影響等方面做了較詳細的闡述。

第1章為緒論，簡要介紹了化合物半導(dǎo)體的歷史和發(fā)展。

第2章介紹了半導(dǎo)體器件物理的基礎(chǔ)內(nèi)容、化合物半導(dǎo)體材料及其基本電學(xué)特性。系統(tǒng)的介紹了半導(dǎo)體材料與器件物理相關(guān)的一些基本概念，包括晶格結(jié)構(gòu)、能帶理論、有效質(zhì)量近似，以及電子能態(tài)密度等。

第3章至第7章系統(tǒng)地講述了幾種重要的化合物半導(dǎo)體器件及其特性。從基本的異質(zhì)結(jié)和肖特基二極管出發(fā)，討論了雙極型器件和場效應(yīng)器件，最后討論量子效應(yīng)、熱電子器件和光電子器件。

第8章結(jié)合我們研究團隊的成果，以SiC和GaN微波功率器件和光電器件為主，特別介紹了近年來的研究熱點——寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。

本書可作為高等學(xué)校微電子學(xué)、集成電路設(shè)計及相關(guān)專業(yè)的研究生和本科高年級學(xué)生“化合物半導(dǎo)體材料和器件”課程的教材；也可作為從事化合物半導(dǎo)體材料或器件分析的科研和工程技術(shù)人員的參考。各章后配有思考題，可供讀者選做。