4.4　本章小結

本章采用濺射CZT金屬前驅體后硒化的兩步法制備了CZTSe薄膜。其中硒化壓強在1～4 mbar區間調整以研究其對CZTSe薄膜性質的影響。制備出的薄膜表面較為粗糙，晶粒大小不一，當硒化壓強增加時，薄膜表面更加致密緊致。薄膜中各組分的比例接近CZTSe的化學計量比。隨著硒化壓強的升高Cu/（Zn+Sn）的比例由0.82增加到1.04。

所有的CZTSe樣品都呈現出p型導電性，遷移率在1 cm2/（V·s）的量級。測得薄膜中載流子濃度在1019～1020量級，大于其他文獻報道，可能是由于Cu2Se雜相的存在導致。經過KCN溶液刻蝕后，載流子濃度下降約一個數量級。

經測試CZTSe的禁帶寬度為0.92eV。