3　工藝設計

3.1　一般規定

3.1.1　錦綸工廠的工藝設計范圍應符合下列規定：

1　聚酰胺6聚合裝置應符合下列規定：

1）工藝應從CPL卸料開始，包括CPL準備、聚合、過濾、切粒、切片萃取、切片干燥、切片輸送、切片混合儲存、切片包裝和CPL回收，以及輔助單元的熱媒站、助劑調配、熔體過濾器濾芯及鑄帶板或鑄帶頭清洗、化驗室、罐區等；

2）當聚合裝置與紡絲裝置建設在同一廠區，且采用氣流輸送切片時，聚合裝置的界區末端應為紡絲裝置接受切片料倉的出料口處；

3）CPL回收根據不同工藝要求，可包括萃取水儲存、多效蒸發和MVR、低聚物處理、CPL精制及回收CPL儲存幾種工序的組合。

2　聚酰胺66聚合裝置應符合下列規定：

1）連續聚合工藝應從AH鹽溶液卸料開始，包括儲存、輸送、濃縮、反應、閃蒸、前聚合、后聚合、切粒、切片干燥、切片輸送、切片摻混儲存、切片包裝，以及輔助單元的熱媒站、助劑調配、熔體過濾器濾芯及鑄帶板或鑄帶頭清洗、化驗室等；當采用固態AH鹽時還應包括鹽溶解及鹽處理；

2）間歇聚合工藝應從AH鹽溶液卸料開始，包括儲存、輸送、濃縮、聚合、切粒、切片干燥、切片輸送、切片摻混儲存、切片包裝，以及添加劑調配、消光劑調配、熔體過濾器濾芯及鑄帶板或鑄帶頭清洗、化驗室等；當采用固態AH鹽時還應包括鹽溶解及鹽處理；

3）當采用熔體直接紡絲工藝時，聚合裝置的界區末端應為紡絲熔體輸送泵出口處。

3　聚酰胺56間歇聚合裝置應符合下列規定：

1）間歇聚合工藝應從聚酰胺56鹽溶液供料開始，包括儲存、輸送、濃縮、聚合、切粒、切片干燥、切片輸送、切片摻混儲存、切片包裝，以及添加劑調配、消光劑調配、熔體過濾器濾芯及鑄帶板或鑄帶頭清洗、化驗室等；

2）當聚合裝置與紡絲裝置建設在同一廠區，且采用氣流輸送切片時，聚合裝置的界區末端應為紡絲裝置接受切片料倉的出料口處。

4　紡絲裝置應符合下列規定：

1）采用切片紡絲工藝的錦綸民用長絲工廠，應從聚酰胺切片卸料開始，經投料、熔融、紡絲、冷卻、上油、牽伸、網絡、卷繞、平衡，到POY、FDY、HOY中間庫或分級包裝；非真空包裝干切片還應包括熔融前的干燥；

2）采用切片紡絲工藝的錦綸短纖維工廠，應從聚酰胺切片卸料開始，經投料、熔融、紡絲、冷卻、上油、導絲、落桶，到平衡間；非真空包裝干切片還應包括熔融前的干燥；

3）采用切片紡絲工藝的錦綸工業絲工廠，應從聚酰胺切片卸料開始，經投料、熔融、紡絲、冷卻、上油、多級牽伸、卷繞，到工業絲包裝；非真空包裝干切片還應包括熔融前的干燥或固相縮聚；

4）采用切片紡絲工藝的錦綸BCF工廠，應從聚酰胺切片卸料開始，經投料、熔融、紡絲、冷卻、上油、牽伸、變形、卷繞，到BCF包裝；非真空包裝干切片還應包括熔融前的干燥；

5）采用熔體直接紡絲工藝的錦綸66工廠，應從紡絲熔體輸送泵出口開始，紡絲以后各道工序分別同切片紡長絲、工業絲、短纖維和BCF工藝；

6）輔助單元宜包括紡絲油劑調配、紡絲組件清洗、添加劑系統、氣相熱媒系統、化驗室、物檢室、牽伸卷繞保全室等。

5　后處理裝置應符合下列規定：

1）除FDY、HOY等一步法民用長絲外，其他民用長絲后處理應從平衡開始，或經上油后，再預網絡、牽伸、網絡、卷繞、到DT，或經空氣變形后的ATY，或空氣包覆處理的ACY，或倍捻處理后的TTY，以及分級包裝；

2）配套建設有簾子布或帆布生產的工業絲工廠，后處理應從平衡開始，到捻線、織布、浸膠等生產及包裝；

3）短纖維后處理應從集束、上油、多道牽伸、熱定型、卷曲、松弛熱定型、切斷，到短纖維打包；生產植絨用錦綸絲束應從多道牽伸后進入裝箱、包裝；生產毛條用錦綸絲束應從松弛熱定型后進入裝箱、包裝；

4）BCF后處理應從平衡開始，到雙股BCF加捻、熱定型產品或三股BCF空氣網絡產品的生產及包裝；

5）輔助單元可包括后處理油劑調配、物檢室、熱媒站（間）、簾子布膠料調配間等。

3.1.2　錦綸工廠的設計能力應符合下列規定：

1　聚合裝置應以100％負荷下的干切片日產量或熔體直接紡絲的聚合物熔體產量為計算依據，并應以“t/d”作為單位表示；

2　紡絲裝置應以產品方案中各典型纖維產品的平均纖度為計算依據，并應以“t/a”作為單位表示；

3　以簾子布或帆布為產品的錦綸工業絲工廠，應以產品方案中簾子布或帆布各典型產品的單位面積重量為計算依據，并應以“t/a”作為單位表示。

3.1.3　錦綸聚合和長絲工廠的設計年生產天數宜按350d（8400h）計算，錦綸短纖維工廠的設計年生產天數宜按333d（8000h）計算。

3.1.4　錦綸6紡絲工廠宜采用聚酰胺6切片紡絲工藝。錦綸66和錦綸56的紡絲工廠根據產品和產量可選用聚酰胺66熔體或聚酰胺56熔體直接紡絲工藝或切片紡絲工藝。

3.1.5　液態CPL的儲存、固態CPL的熔融和聚合應采用純度不小于99.999％、氧含量不宜超過5ppm的氮氣保護。

3.1.6　AH鹽和聚酰胺56鹽的鹽液槽、預聚合、后聚合應采用純度不小于99.999％、氧含量不宜超過5ppm的氮氣保護。

3.1.7　液態CPL儲存及輸送管道用的熱水系統溫度不宜高于95℃，在封閉循環熱水系統的最高點應設置膨脹槽。

3.1.8　聚酰胺6、聚酰胺66和聚酰胺56切片在干燥和輸送過程中應防止被氧化，并應設置可靠的靜電接地設施。

3.1.9　氣相熱媒應采用低沸點熱媒，液相熱媒宜采用氫化三聯苯或二芳基烷。

3.1.10　聚合反應的熱源和大型紡絲裝置的熱媒蒸發器宜采用一次熱媒加熱二次熱媒的方式。

3.1.11　一次熱媒系統和二次熱媒系統的設計應符合現行行業標準《鍋爐安全技術監察規程》TSG G0001的有關規定。

3.1.12　二次熱媒液相循環系統，當采用一次熱媒系統同樣的加熱介質時，宜統籌設置放空、放凈、補充、膨脹吸收和收集設施；當采用與一次熱媒不同的加熱介質時，應設計獨立的放空、放凈、補充、膨脹吸收和收集設施。

3.1.13　二次熱媒氣相系統應設計獨立的放空、放凈、補充和收集設施。熱媒蒸發器應設超溫、超壓報警切斷熱源聯鎖和超壓泄放及熱媒接收槽。熱媒接收槽的排氣管線上應設冷卻器和阻火器。

3.1.14　熱媒系統應設置緊急情況下能全部接收生產設備和管道內排放的熱媒的儲罐。

3.1.15　下列設備應設置安全泄放裝置：

1　聚酰胺66的鹽預熱器、反應器、蒸發器、有機熱載體鍋爐；

2　聚酰胺6聚合裝置的預聚合反應器、后聚合反應器、熱媒蒸發器、回收裂解反應器、有機熱載體鍋爐、熱媒膨脹罐；

3　聚酰胺56的濃縮槽、反應器、蒸發器；

4　氮氣、儀表氣儲罐；

5　在不正常條件下頂部操作壓力可能超過0.07MPa的其他設備。

3.1.16　聚合裝置上應按生產、檢驗要求設置取樣口。

3.1.17　聚酰胺切片和纖維的儲存區、中轉區、平衡區和纖維生產區應避免陽光直接照射。

3.1.18　液態CPL、AH鹽溶液和聚酰胺56鹽溶液的儲存及運輸應保證在其凝固點或結晶點以上。

3.1.19　固態CPL、AH鹽和聚酰胺56鹽應采取防水、防潮、避光等措施儲存。

3.1.20　輔助工藝設施宜布置在有外墻的車間附房內，并應靠近所服務的主工藝裝置。

3.1.21　聚合工廠應設化驗室；紡絲工廠應設化驗室和物檢室；當聚合裝置和紡絲裝置在同一廠區時，化驗室可合并設置。

3.1.22　物檢室、化驗室、儀表控制室、變配電室的上下層對應位置房間和毗鄰房間不應布置潮濕、有水、灰塵較大、有振動的附房或設備。