4.4　共晶焊工藝設備

4.4.1　共晶焊工藝可選用共晶機、共晶爐，并宜符合下列規定：

1　被貼裝芯片的面積不大于2mm×2mm時，應選用手動或自動共晶機進行逐一共晶焊，同一基板上同一溫度下使用同種焊料共晶焊的芯片不應超過3個；

2　多芯片貼裝或被貼裝芯片的面積大于6mm×6mm時，應選用真空共晶爐進行共晶焊，并應設計焊接工裝；

3　被貼裝芯片的面積在2mm×2mm到6mm×6mm之間時，應根據具體情況選擇工藝設備；

4　不使用焊料，直接將兩種金屬的界面加熱到不小于它們的共熔溫度進行共晶焊時，應選用具有摩擦功能的共晶機。

4.4.2　共晶焊工藝設備配置應符合下列規定：

1　真空共晶爐宜配置有工藝參數與焊接曲線、氣氛曲線實時監控與報警系統、焊接工裝夾具，利用熱能與真空（氣氛）相結合使焊料片共晶熔化實現產品的焊接，可通過設置加熱功率、加熱時間、加熱溫度、真空度與抽真空時間、氣體類別、充氣壓力與時間等參數來獲得適宜的共晶焊接“溫度-時間”曲線及“真空（氣氛）”曲線；

2　共晶機應配置承片臺、操作隨動系統、顯微鏡、照明裝置和吸嘴（夾具），應能設置和調節承片臺溫度、摩擦頻率等關鍵工藝參數，可通過改變真空度（夾持力）、更換吸嘴（夾具）規格等方法，適應不同規格元件的共晶貼片。