2.3　選購內(nèi)存

內(nèi)存作為電腦的核心部件之一，直接影響到電腦整機的運行速度、穩(wěn)定性等性能，選購一條好的內(nèi)存無疑是非常重要的。

2.3.1　內(nèi)存的生產(chǎn)廠商

當(dāng)前市場上的成品內(nèi)存有很多種，主要包括金士頓、勝創(chuàng)、威剛、三星、宇瞻、海盜船、黑金剛、富豪、現(xiàn)代等，這些內(nèi)存采用的工藝略有不同，在性能上也有些差異。目前主流的內(nèi)存有DDR2800、DDR21066、DDR31333及DDR31600等。圖2-42所示為DDR3內(nèi)存。

2.3.2　了解內(nèi)存的進化

內(nèi)存條大致上經(jīng)過三代產(chǎn)品的進化，當(dāng)然進化是多方面的，有延續(xù)上代特征的，也有略加改變的，不管怎么說大多留下來的都是符合現(xiàn)在環(huán)境的。

圖2-43所示為三代內(nèi)存條的各個形狀。

1.防呆缺口：位置不同防插錯

觀察這三個卡口的左右兩邊的金屬片，就可以發(fā)現(xiàn)缺口左右兩邊的金屬片數(shù)量是不同的。比如DDR內(nèi)存單面金手指針腳數(shù)量為92個（雙面184個），缺口左邊為52個針腳，缺口右邊為40個針腳；DDR2內(nèi)存單面金手指120個（雙面240個），缺口左邊為64個針腳，缺口右邊為56個針腳；DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個（雙面240個），缺口左邊為72個針腳，缺口右邊為48個針腳。

2.芯片封裝：濃縮是精華

在不同的內(nèi)存條上都分布了不同數(shù)量的塊狀顆粒，它就是通常所說的內(nèi)存顆粒。不同規(guī)格的內(nèi)存，內(nèi)存顆粒的外形和體積不太一樣，這是因為內(nèi)存顆粒“包裝”技術(shù)的不同導(dǎo)致的。一般來說，DDR內(nèi)存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝）封裝技術(shù)，又長又大。而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA（底部球形引腳封裝）封裝技術(shù)，與TSOP相比，內(nèi)存顆粒就小巧很多。FBGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優(yōu)勢明顯。

TSOP是內(nèi)存顆粒通過引腳焊接在內(nèi)存PCB上的，引腳由顆粒向四周引出，所以肉眼可以看到顆粒與內(nèi)存PCB接口處有很多金屬柱狀觸點，并且顆粒封裝的外形尺寸較大，呈長方形，如圖2-44所示。其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，但焊點和PCB的接觸面積較小，使DDR內(nèi)存的傳導(dǎo)效果較差，容易受干擾，散熱也不夠理想。

FBGA封裝把DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒做成了正方形，而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的1/3，內(nèi)存PCB上也看不到DDR內(nèi)存芯片上的柱狀金屬觸點，因為其柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，所有的觸點就被“包裹”起來，外面自然看不到，如圖2-45所示。其優(yōu)點是有效地縮短了信號的傳導(dǎo)距離。

3.速度與容量：成倍提升

在選擇內(nèi)存和CPU搭配時就是看內(nèi)存帶寬是否大于或者等于CPU的帶寬，這樣才可以滿足CPU的數(shù)據(jù)傳輸要求。

而從帶寬公式（帶寬=位寬×頻率÷8）可以得知，和帶寬關(guān)系最緊密的就是頻率。這也是為什么三代內(nèi)存等效頻率一升再升的原因之一，其目的就是為了滿足CPU的帶寬。

不僅速度上有所提升，而且隨著電腦應(yīng)用的提高，用戶也需要更大容量的單根內(nèi)存。DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的內(nèi)存，而到了DDR2時代，兩根1GB內(nèi)存就只是標準配置了，內(nèi)存容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今后還會有單根8GB的內(nèi)存出現(xiàn)，這說明了人們對內(nèi)存容量的要求在不斷提高。

4.延遲值：一代比一代高

任何內(nèi)存都有一個CAS延遲值，一般而言，內(nèi)存的延遲值越小，傳輸速度就越快。

從DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，比如DDR內(nèi)存的延遲值（第一位數(shù)值大小最重要，普通用戶關(guān)注第一位延遲值就可以了）為1.5、2、2.5、3；而到了DDR2時代，延遲值提升到了3、4、5、6；到了DDR3時代，延遲值也繼續(xù)提升到了5、6、7、8或更高。

5.功耗：一次又一次降低

電子產(chǎn)品要正常工作，肯定要有電。有電就需要工作電壓，該電壓是通過金手指從主板上的內(nèi)存插槽獲取的，內(nèi)存電壓的高低，也反映了內(nèi)存工作的實際功耗。一般而言，內(nèi)存功耗越低，發(fā)熱量也越低，工作也更穩(wěn)定。DDR內(nèi)存的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右；而到了DDR2時代，工作電壓從2.5V降至1.8V；到了DDR3內(nèi)存時代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節(jié)省30％～40％的功耗。由此可以看出，從DDR內(nèi)存發(fā)展到DDR3內(nèi)存，盡管內(nèi)存帶寬大幅提升，但功耗反而降低，此時內(nèi)存的超頻性、穩(wěn)定性等都得到了進一步提高。

6.制造工藝：不斷提高

從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低。比如DDR內(nèi)存顆粒廣泛采用0.13μm制造工藝，而DDR2顆粒采用了0.09微米制造工藝，DDR3顆粒則采用了全新65nm制造工藝（1μm=1000nm）。

總的來說，內(nèi)存主要扮演著CPU數(shù)據(jù)倉庫的角色，所以CPU性能的提升，內(nèi)存的容量和性能都要跟得上，但也不可盲目地把內(nèi)存容量配得過大。對于大多數(shù)用戶來說2GB DDR2800的內(nèi)存就足夠了，而偏高端一些的電腦使用總?cè)萘繛?GB的內(nèi)存就差不多了。

2.3.3　內(nèi)存的選購技巧與原則

內(nèi)存的選購，要從品牌、容量、內(nèi)存的種類和頻率及其他方面綜合考慮。

1.選擇優(yōu)秀的品牌

目前市場上的內(nèi)存廠商主要有：金士頓（如圖2-46所示）、威剛（ADATA）、海盜船、宇瞻（Apacer）、勤茂、三星（SAMSUNG）、金泰克、OCZ、芝奇、現(xiàn)代（Hynix）等，這些品牌的內(nèi)存采用的工藝略有不同，因此在性能上多少有些差異。對品牌內(nèi)存進行選購時應(yīng)從其質(zhì)量、性價比和售后服務(wù)等多方面進行比較。

2.選擇適當(dāng)?shù)膬?nèi)存容量

目前市場上的內(nèi)存單條容量主要為2GB和4GB以及更大的。電腦選擇內(nèi)存的容量一定要根據(jù)電腦的用途和使用者經(jīng)常使用的軟件使用內(nèi)存的程度來確定。如果用戶的電腦只是家庭上網(wǎng)或辦公使用，那么2GB內(nèi)存就基本可以了，考慮到以后電腦升級的問題可以適當(dāng)?shù)卦黾觾?nèi)存；如果用戶是專業(yè)設(shè)計者。經(jīng)常使用一些平面設(shè)計軟件或3D設(shè)計軟件等多媒體制作軟件，內(nèi)存的容量就要大一些，最好保證在4GB以上，這樣才能保證電腦的運行順暢。

3.內(nèi)存的種類和頻率

確定內(nèi)存的種類和頻率時需要看主板，通常是由主板上面的芯片組決定支持哪種內(nèi)存和內(nèi)存頻率的。如圖2-47和圖2-48所示。

4.其他方面

選擇內(nèi)存時還應(yīng)該注意內(nèi)存顆粒，現(xiàn)在市場上的內(nèi)存顆粒分為原廠顆粒和OEM顆粒，原廠顆粒內(nèi)存相對OEM顆粒內(nèi)存質(zhì)量好和價格高。但現(xiàn)在的內(nèi)存很多都加有保護外殼，在購買時不太容易看到。

再有就是要看內(nèi)存的PCB板，PCB也是內(nèi)存條的重要組成部分。PCB的層數(shù)不在于多，而在于質(zhì)量。有些6層PCB的內(nèi)存條竟比4層PCB的內(nèi)存條還要薄不少，這類內(nèi)存條雖然有6層PCB，但其實際質(zhì)量卻比不上4層PCB的產(chǎn)品。另外，內(nèi)存條的PCB的邊緣不應(yīng)該出現(xiàn)任何形式的形變，如果有這樣的情況，則表該內(nèi)存條的PCB質(zhì)量不過關(guān)。

最后是金手指，它的重要性不言而喻。如果，內(nèi)存條的金手指存在色斑或氧化現(xiàn)象，這條內(nèi)存條千萬不要買，因為這樣的內(nèi)存很可能是舊的或翻新產(chǎn)品。